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TP65H070G4RS-TR

Name: Renesas Electronics TP65H070G4RS-TR
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H070G4RS-TR
Price: 6.85 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

227-TP65H070G4RS-TR

Fabr. N.º:

TP65H070G4RS-TR

Fabr.:

Renesas Electronics

Descripción:

FET de GaN 650V, 70mohm GaN FET in TOLT

Ciclo de vida:

Nuevo en Mouser

Hoja de datos:

TP65H070G4RS-TR Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Renesas Electronics
Categoría de producto:	FET de GaN
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TOLT-16
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	29 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	85 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, + 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.8 V
Qg (carga de compuertas):	9 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	96 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	SuperGaN
Marca:	Renesas Electronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	7.2 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Tipo de producto:	GaN FETs
Tiempo de establecimiento:	6.2 ns
Serie:	Gen IV SuperGaN
Cantidad del paquete de fábrica:	1300
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tiempo típico de retraso de apagado:	56 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	43.4 ns

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CNHTS:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

TP65H070G4RS 650V SuperGaN® FET in TOLT

Renesas Electronics TP65H070G4RS 650V SuperGaN^® FET in TOLT features an on-resistance R_DS(on) of 72mΩ typical in a top-side-cooled, surface-mount TOLT package that meets the JEDEC standard MO-332. The TOLT package offers thermal management flexibility, especially in systems that do not allow for conventional surface-mount devices with bottom-side cooling. The TP65H070G4RS is a normally-off device that combines low-voltage silicon MOSFET and high-voltage GaN HEMT technologies to deliver superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform leverages advanced epitaxial (epi) and patented design technologies to streamline manufacturability and enhance efficiency compared to silicon. It achieves this by reducing gate charge, crossover loss, output capacitance, and reverse recovery charge. Renesas Electronics TP65H070G4RS 650V SuperGaN TOLT FET is ideal for datacom, industrial, computing, and other applications.