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NVMTS0D4N04CLTXG

Name: onsemi NVMTS0D4N04CLTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMTS0D4N04CLTXG
Price: 9.58 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NVMTS0D4N04CLTXG

Fabr. N.º:

NVMTS0D4N04CLTXG

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET AFSM T6 40V LL NCH

Hoja de datos:

NVMTS0D4N04CLTXG Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Pedido:: 6.000

Fecha prevista: 30/03/2026
Plazo de producción de fábrica:: 19

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Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	9,58 €	9,58 €
	6,68 €	66,80 €
	5,63 €	563,00 €
	5,50 €	5.500,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	4,78 €	14.340,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PQFN-88-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	40 V
Id: corriente de drenaje continuo:	553.8 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	400 uOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	341 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	244 W
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	107 ns
Transconductancia delantera: mín.:	330 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	147 ns
Serie:	NVMTS0D4N04CL
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	217 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	110 ns
Peso unitario:	4,096 g

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PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

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