QPA2309 C-Band 100W GaN Power Amplifier

Qorvo QPA2309 C-Band 100W GaN (Gallium Nitride) Power Amplifier operates from 5GHz to 6GHz and delivers a high power added efficiency (PAE) of 52%. This device has a 50V drain voltage, a 600mA quiescent drain current, and provides a power gain of up to 22dB. The QPA2309 is internally matched and requires no additional external RF components, enabling designers and system integrators to maximize design by reducing size and weight while offering better performance.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Frecuencia de operación
Tipo
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Tecnología
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Serie
Empaquetado

Qorvo Amplificador de RF 5-6 GHz, 100 W GaN PA
10Fecha prevista: 21/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

5 GHz to 6 GHz Power Amplifiers SMD/SMT QFN-48 GaN SiC - 40 C + 85 C QPA2309 Bag
Qorvo QPA2309TR7
Qorvo Amplificador de RF 5-6 GHz, 100 W GaN PA
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 250
Múlt.: 250
Bobina: 250
QPA2309 Reel