1200V Dual IGBT Modules

Infineon 1200V, Dual IGBT Modules, are EconoDUAL™ 3 1200V, 900A dual TRENCHSTOP™ IGBT7 Modules with emitter-controlled 7 diodes, NTC, and PressFIT contact technology. The IGBT Modules offer a higher inverter output current for the same frame size and avoidance of paralleling. The Infineon 1200V, Dual IGBT Modules, provide an easy and reliable assembly with high inter-connection reliability.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Producto
Configuración
Voltaje colector-emisor VCEO máx.
Voltaje de saturación colector-emisor
Corriente continua del colector a 25 C
Corriente de fuga puerta-emisor
Pd (disipación de potencia)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Empaquetado
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 900 A dual IGBT module
Hoja de datos
6En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 890 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 450 A dual IGBT module
Hoja de datos
17En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 450 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FF450R07ME4B11BPSA1
Infineon Technologies Módulos IGBT 650 V, 450 A dual IGBT module
Hoja de datos
9En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 650 V 1.55 V 560 A 100 nA 1.45 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT MEDIUM POWER 62MM
Hoja de datos
20En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT MEDIUM POWER 62MM
Hoja de datos
12En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT module
Hoja de datos
19En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 995 A 400 nA 4.05 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT Module
Hoja de datos
12En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 400 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT module
Hoja de datos
18En existencias
20Fecha prevista: 06/05/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 900 A dual IGBT module
Hoja de datos
10En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 750 A dual IGBT module
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 10
Múlt.: 10

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP100R12N3T7BPSA1
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 100 A PIM IGBT module
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Tray