Etapa de potencia GaN de 600 V y 70 mΩ LMG3410R070
La etapa de potencia GaN de 600 V y 70 mΩ LMG3410R070GaN de Texas Instruments, con controlador y protección integrados, ofrece una serie de ventajas en comparación con los MOSFET de silicio. Entre esas ventajas se incluye una capacitancia de entrada y salida muy baja. Entre sus características se incluyen la recuperación de inversión de cero, que reduce las pérdidas de conmutación hasta en un 80 %, y un conjunto de nodos de conmutación baja para reducir las EMI.
