Automotive U-MOSVII-H Power MOSFETs

Toshiba Automotive U-MOSVII-H Power MOSFETs are AEC-Q101 qualified silicon N-channel MOSFETs. Toshiba Automotive U-MOSVII-H Power MOSFETs offer low drain-source on-resistance and are ideal for use in high-speed switching applications as well as automotive DC-DC converters and power management switches.

Resultados: 8
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Cualificación
Empaquetado

Toshiba MOSFET SMOS Low RON Dual Nc h Id:0.8A, Vdss: 20
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2.723En existencias
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Bobina: 3.000

Si SMD/SMT UF6-6 N-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 456 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 2 nC + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET SMOS Low RON Nch Id: 4A Vdss: 30V Pd:1W
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5.400En existencias
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Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 30 V 4 A 56 mOhms - 8 V, 12 V 1 V 2.2 nC + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET SMOS Low RON Nch Vds s:20V ID:0.8A SOT-2
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2.212En existencias
3.000Fecha prevista: 16/02/2026
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Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 57 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 2 nC + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET SMOS Low RON Nch Io: 0.4A Vdss: 60V Vgss
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5.951En existencias
3.000Fecha prevista: 17/02/2026
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Mín.: 1
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Si SMD/SMT USM-3 N-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.75 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V 390 pC + 150 C 700 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET SMOS 2 in 1 Dual Nch High ESD protected
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2.554En existencias
3.000Fecha prevista: 20/02/2026
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Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT US6-6 N-Channel 1 Channel 60 V 300 mA 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V 390 pC + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET SMOS Nch I: 0.4A, V: 60V, P: 270mW S-Min
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19.258En existencias
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Mín.: 1
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Bobina: 3.000

Si SMD/SMT S-Mini-3 N-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.75 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V + 150 C 900 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q SS MOS N-ch + P-ch Low Voltage Gate Drive VDSS:30V IC:4A PD:1.5W TSOP6F
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5.998Fecha prevista: 15/06/2026
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Si SMD/SMT TSOP6F N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 4 A 39.1 mOhms, 45 mOhms - 8 V, 12 V 1 V 6.7 nC + 150 C 1.4 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q Low Rdson SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V Ic:0.3A SOT-416
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No en almacén Plazo producción 11 Semanas
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Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SSM-3 N-Channel 1 Channel 60 V 300 mA 1.65 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V 390 pC + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel