RBQxx65ANZ Low IR Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor RBQxx65ANZ Schottky Barrier Diodes are cathode common type low IR diodes for general rectification. These diodes are manufactured using silicon epitaxial planar type construction and come in a power mold type (TO-220FN) package. ROHM Semiconductor RBQxx65ANZ barrier diodes offer high reliability and are ideally suitable for switching power supplies and general rectification. 

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Producto
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Configuración
Tecnología
If - Corriente delantera
Vrrm - Tensión inversa repetitiva
Vf - Tensión delantera
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera
Ir - Corriente inversa
Temperatura operativa máxima
Empaquetado
ROHM Semiconductor Diodos y rectificadores Schottky Schottky Barrier Diode Low IR, 65V, 20A, ITO-220AB
Hoja de datos
690En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Schottky Diodes Through Hole TO-220FN-3 Dual Anode Common Cathode Si 20 A 65 V 610 mV 100 A 30 uA + 150 C Tube
ROHM Semiconductor Diodos y rectificadores Schottky Schottky Barrier Diode Low IR, 65V, 30A, ITO-220AB
Hoja de datos
555En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Schottky Diodes Through Hole TO-220FN-3 Dual Anode Common Cathode Si 30 A 65 V 640 mV 100 A 35 uA + 150 C Tube