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SIHS90N65E-GE3

Name: Vishay SIHS90N65E-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIHS90N65E-GE3
Price: 17.47 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

78-SIHS90N65E-GE3

Fabr. N.º:

SIHS90N65E-GE3

Fabr.:

Vishay / Siliconix

Descripción:

MOSFET SPR247 650V 87A N-CH MOSFET

Hoja de datos:

SIHS90N65E-GE3 Hoja de datos

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	Super-247-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	87 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	29 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, 30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Qg (carga de compuertas):	394 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	625 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Vishay / Siliconix
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	267 ns
Transconductancia delantera: mín.:	32 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	152 ns
Serie:	SIHS E
Cantidad del paquete de fábrica:	480
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	E Series Power MOSFET
Tiempo típico de retraso de apagado:	323 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	85 ns

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SIHS90N65E-GE3 Hoja de datos

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Technical Resources

TO-274AA (High Voltage)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiHS90N65E Power MOSFET

Vishay / Siliconix SiHS90N65E Power MOSFET offers a low figure-of-merit, low input capacitance, and ultra-low gate charge. The SiHS90N65E Power MOSFET has a 700V drain-source voltage and is optimized to reduce switching and conduction losses. The Vishay / Siliconix SiHS90N65E Power MOSFET is suitable for server and telecom power supplies, lighting, and industrial applications.