Módulos de medio puente EliteSiC NXH00xP120M3F2PTxG

Los módulos de medio puente EliteSiC NXH00xP120M3F2PTxG de Onsemi son módulos de 2 paquetes con dos interruptores MOSFET SiC de 3 mΩ o 4 mΩ, 1200 V y un termistor con alúmina endurecida con circonio (HPS) de cobre de unión directa (DBC) o nitruro de silicio (Si3N4) DBC. Los interruptores MOSFET SiC encapsulados F2 utilizan la tecnología M3S y presentan un rango de accionamiento de puerta de 15 V a 18 V. Entre las aplicaciones se incluyen las conversiones CC-CA, CC-CC y CA-CC.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Serie
Empaquetado
onsemi Módulos MOSFET 1200V 3M M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES
Hoja de datos
25En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Press Fit PIM-36 1.2 kV 350 A 5.88 mohms - 10 V, + 22 V 2.4 V - 40 C + 175 C 979 W NXH003P120M3F2PTHG Tray
onsemi Módulos MOSFET 1200V 3M M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES
Hoja de datos
58En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Press Fit PIM-36 1.2 kV 435 A 5.88 mohms - 10 V, + 22 V 2.4 V - 40 C + 175 C 1.482 kW NXH003P120M3F2PTNG Tray
onsemi Módulos MOSFET 1200V 4M M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES
Hoja de datos
26En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Press Fit PIM-36 1.2 kV 284 A 7.5 mohms - 10 V, + 22 V 2.8 V - 40 C + 175 C 785 W NXH004P120M3F2PTHG Tray
onsemi Módulos MOSFET 1200V 4M M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES
Hoja de datos
10En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC NXH004P120M3F2PTNG Tray