MOSFET de canal N SiC SICW0x de 1200 V

Los MOSFET de canal N SiC SICW0x de 1200 V de Micro Commercial Components (MCC) amplifican el rendimiento en encapsulados TO-247-4, TO-247-4L y TO-247AB. Estos MOSFET ofrecen una alta velocidad de conmutación con una carga de compuertas baja, flexibilidad de diseño y fiabilidad. Los MOSFET de SiC de 1200 V SICW0x incluyen un amplio intervalo de resistencia de encendido típico de 21 mΩ a 120 mΩ y un rendimiento fiable. Estos MOSFET de SiC ofrecen propiedades térmicas superiores y un diodo intrínseco rápido para garantizar un funcionamiento suave y eficiente en condiciones difíciles. Los MOSFET de SiC SICW0x  están disponibles en configuraciones de 3 y 4 pines (fuente Kelvin). Entre las aplicaciones típicas se incluyen accionamientos de motores, equipos de soldadura, fuentes de alimentación, sistemas de energía renovable, infraestructuras de carga, sistemas en la nube y suministro de alimentación ininterrumpido (SAI).

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Micro Commercial Components (MCC) MOSFET de SiC SiC MOSFET,TO-247AB
Hoja de datos
357En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 86 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 3 V 305 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) MOSFET de SiC SiC MOSFET,TO-247-4
Hoja de datos
359En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 86 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 3 V 305 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) MOSFET de SiC SiC MOSFET,TO-247AB
Hoja de datos
340En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 62 A 75 mOhms - 10 V, + 25 V 2.7 V 229 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) MOSFET de SiC SiC MOSFET,TO-247-4
Hoja de datos
360En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 62 A 75 mOhms - 10 V, + 25 V 2.7 V 229 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) MOSFET de SiC SiC MOSFET,TO-247AB
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 1.800
Múlt.: 1.800
Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 33.6 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 200 nC - 55 C + 175 C 469 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) MOSFET de SiC SiC MOSFET,TO-247-4L
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 1.800
Múlt.: 1.800
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 33.6 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 200 nC - 55 C + 175 C 469 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) MOSFET de SiC SiC MOSFET,TO-247AB
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1.800
Múlt.: 1.800
Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 33 A 134 mOhms - 10 V, + 25 V 3 V 131 nC - 55 C + 175 C 224 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) MOSFET de SiC SiC MOSFET,TO-247-4
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1.800
Múlt.: 1.800
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 33 A 134 mOhms - 10 V, + 25 V 3 V 131 nC - 55 C + 175 C 224 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) MOSFET de SiC SiC MOSFET,TO-247AB
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1.800
Múlt.: 1.800
Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 24 A 200 mOhms - 10 V, + 25 V 2.95 V 67 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) MOSFET de SiC SiC MOSFET,TO-247-4
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1.800
Múlt.: 1.800
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 24 A 200 mOhms - 10 V, + 25 V 2.95 V 67 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement