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SIHR080N60E-T1-GE3

Name: Vishay SIHR080N60E-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIHR080N60ET1GE3
Price: 6.16 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

78-SIHR080N60ET1GE3

Fabr. N.º:

SIHR080N60E-T1-GE3

Fabr.:

Vishay / Siliconix

Descripción:

MOSFET N-CHANNEL 600V

Hoja de datos:

SIHR080N60E-T1-GE3 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	6,16 €	6,16 €
	4,42 €	44,20 €
	3,36 €	336,00 €
	3,16 €	3.160,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2000)
	2,99 €	5.980,00 €
	2,85 €	11.400,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PowerPAK-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	600 V
Id: corriente de drenaje continuo:	51 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	74 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, 30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	5 V
Qg (carga de compuertas):	42 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	500 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	PowerPAK
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Vishay / Siliconix
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	31 ns
Transconductancia delantera: mín.:	4.6 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	96 ns
Serie:	SIHR E
Cantidad del paquete de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado:	37 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	31 ns

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de potencia de canal N SiHR080N60E

El MOSFET de potencia de canal N SiHR080N60E de Vishay/Siliconix es un MOSFET de potencia serie E de 600 V de cuarta generación en un encapsulado PowerPAK ® 8 x 8 LR. El MOSFET proporciona una mayor eficiencia y densidad de potencia para aplicaciones de telecomunicaciones, industriales e informáticas. El SiHR080N60E presenta una resistencia de activación típica baja de 0,074Ω a 10 V y una carga de compuerta ultrabaja de 42 nC, lo que reduce las pérdidas de conducción y conmutación, ahorrando energía y aumentando la eficiencia en sistemas de alimentación de >2 kW. El encapsulado también proporciona una conexión Kelvin para mejorar la eficiencia de conmutación. El SiHR080N60E de Vishay/Siliconix está diseñado para soportar transitorios de sobretensión en modo avalancha con límites garantizados mediante pruebas para UIS del 100 %.