FGHL50T65MQDTx Field Stop Trench IGBTs

onsemi FGHL50T65MQDTx Field Stop Trench IGBTs are 4th generation mid-speed IGBTs technology co-packed with a fully rated current diode. These IGBTs operate at 175°C maximum junction temperature. Features include high current capability, smooth and optimized switching, and tight parameter distribution. Typical applications include solar inverters, UPS, ESS, converters, and FPS.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Empaquetado / Estuche
Estilo de montaje
Configuración
Voltaje colector-emisor VCEO máx.
Voltaje de saturación colector-emisor
Voltaje puerta-emisor máximo
Corriente continua del colector a 25 C
Pd (disipación de potencia)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Serie
Empaquetado

onsemi IGBT IGBT - 650 V 50 A FS4 medium switching speed IGBT with full rated copack diode
Hoja de datos
1.874En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.45 V - 20 V, 20 V 80 A 268 W - 55 C + 175 C FGHL50T65MQDT Tube

onsemi IGBT IGBT - 650 V 50 A FS4 medium switching speed IGBT with full rated copack diode
Hoja de datos
321En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.45 V - 20 V, 20 V 80 A 268 W - 55 C + 175 C FGHL50T65MQDTL4 Tube