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SCT4018KRC15

Name: ROHM Semiconductor SCT4018KRC15
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4018KRC15
Price: 30.5 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

755-SCT4018KRC15

Fabr. N.º:

SCT4018KRC15

Fabr.:

ROHM Semiconductor

Descripción:

MOSFET de SiC TO247 1.2KV 81A N-CH SIC

Hoja de datos:

SCT4018KRC15 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Pedido:: 450

Fecha prevista: 18/06/2026
Plazo de producción de fábrica:: 27

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Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	30,50 €	30,50 €
	22,70 €	227,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	81 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	23.4 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 4 V, + 21 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.8 V
Qg (carga de compuertas):	170 nC
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	312 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	11 ns
Transconductancia delantera: mín.:	22 S
Empaquetado:	Tube
Producto:	MOSFET's
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	21 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	450
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	50 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	13 ns
Alias de parte #:	SCT4018KR

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SCT4018KR N-Channel SiC Power MOSFET

ROHM Semiconductor SCT4018KR N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET is a robust device optimized for high-efficiency power conversion in demanding applications. With a drain-source voltage rating of 1200V and a continuous drain current of 81A (at +25°C), the ROHM SCT4018KR delivers excellent performance in high-voltage environments. The device features a low typical on-resistance of 18mΩ and supports fast switching speeds, which significantly reduce switching losses and improve overall system efficiency. Housed in a TO-247-4L package, the SCT4018KR is well-suited for use in industrial power supplies, solar inverters, and motor drives. Leveraging the advantages of SiC technology, the SCT4018KR MOSFET offers superior thermal conductivity, high-temperature operation, and enhanced reliability, making it ideal for compact, high-performance power systems.

4th Generation N-Channel SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor 4th Generation N-Channel Silicon-Carbide (SiC) Power MOSFETs provide low on-resistances with improvements in the short-circuit withstand time. The 4th Generation SiC MOSFETs are easy to parallel and simple to drive. The MOSFETs feature fast switching speeds/reverse recovery, low switching losses, and a +175°C maximum operating temperature. The ROHM 4th Generation N-Channel SSiC Power MOSFETs support a 15V gate-source voltage that contributes to device power savings.

AEC-Q101 SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC Power MOSFETs are ideal for automotive and switch-mode power supplies. The SiC Power MOSFETs can boost switching frequency, decreasing the volumes of capacitors, reactors, and other components required. AEC-Q101 SiC Power MOSFETs offer excellent reductions in size and weight within various drive systems, such as inverters and DC-DC converters in vehicles. Vehicle batteries are trending towards larger capacities with shorter charging times. This demands high power and efficiency on board chargers such as 11kW and 22kW. This leads to increased adoption of SiC MOSFETs. The AEC-Q101 SiC Power MOSFETs meet the needs of electronic vehicles and utilize a trench gate structure. The future design of ROHM's SiC MOSFETs endeavors to improve quality, strengthen its lineup to increase device performance, reduce power consumption, and achieve greater miniaturization.