CoolSiC™ 1700V SiC Trench MOSFETs

Infineon CoolSiC™ 1700V SiC Trench MOSFETs feature a revolutionary Silicon Carbide material optimized for fly-back topologies. The SiC Trench MOSFETs offer a 12V/0V gate-source voltage compatible with most fly-back controllers.

Resultados: 3
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Hoja de datos
741En existencias
4.000Fecha prevista: 02/03/2026
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 5.2 A 1 Ohms - 10 V, + 20 V 4.5 V 5 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Hoja de datos
1.827En existencias
1.250Fecha prevista: 19/03/2026
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 9.8 A 450 mOhms - 10 V, + 20 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Hoja de datos
1.974Pedido
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 7.4 A 650 mOhms - 10 V, + 20 V 4.5 V 8 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement CoolSiC