SCT40xKWA N-channel SiC power MOSFETs

ROHM Semiconductor SCT40xKWA N-channel SiC power MOSFETs are fourth-generation MOSFETs that provide low on-resistance and improved short-circuit withstand time. These MOSFETs feature 1200V VDS, fast switching speed, 4.7mm minimum creepage distance, and fast recovery time. The SCT40xKWA MOSFETs are RoHS compliant and simple to drive. Typical applications include induction heating, DC-DC converters, solar inverters, and Switch Mode Power Supplies (SMPS).

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa máxima
Modo canal
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC TO263 1.2KV 75A N-CH SIC
Hoja de datos
796En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000
SMD/SMT TO-263-7LA 1 Channel 1.2 kV 75 A 23.4 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC TO263 1.2KV 40A N-CH SIC
Hoja de datos
800En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000
SMD/SMT TO-263-7LA N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 91 nC + 175 C Enhancement