TGF2965-SM GaN RF Input-Matched Transistor

Qorvo TGF2965-SM GaN RF Input-Matched Transistor is a 6W (P3dB), 50Ω-input matched discrete GaN (Gallium-Nitride) on SiC (Silicon Carbide) HEMT (High-Electron Mobility Transistor) which operates from 0.03GHz to 3.0GHz. The integrated input matching network enables wideband gain and power performance. The output can be matched on board to optimize power and efficiency for any region within the band.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Qorvo FET de GaN 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32V
Hoja de datos
100En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT QFN-16 P-Channel 32 V 600 mA 7.5 W
Qorvo FET de GaN .03-3GHz,5W,32V,50Ohm GaN RF I/P-Mtch T
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 1 Channel 32 V 600 mA - 7 V, + 2 V - 40 C + 85 C 7.5 W