Resultados: 577
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Empaquetado / Estuche
Estilo de montaje
Configuración
Voltaje colector-emisor VCEO máx.
Voltaje de saturación colector-emisor
Voltaje puerta-emisor máximo
Corriente continua del colector a 25 C
Pd (disipación de potencia)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Serie
Empaquetado
IXYS IGBT Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode
Hoja de datos
9En existencias
540Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 600 V 1.5 V 20 V 80 A 200 W - 55 C + 150 C IXGR72N60 Tube
IXYS IGBT GenX3 600V IGBT
Hoja de datos
5En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 600 V 1.35 V 20 V 75 A 540 W - 55 C + 150 C IXGT72N60 Tube

IXYS IGBT TO247 600V 150A XPT
Hoja de datos
133En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole Single 600 V 2.5 V - 20 V, 20 V 300 A 1.36 kW - 55 C + 175 C Planar Tube

IXYS IGBT TO247 600V 30A XPT
Hoja de datos
158En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Single - 20 V, 20 V Planar Tube

IXYS IGBT XPT 600V IGBT 30A
Hoja de datos
146En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole Single 600 V 2.4 V - 20 V, 20 V 60 A 270 W - 55 C + 175 C IXXH30N60 Tube
IXYS IGBT 650V/160A TRENCH IGBT GENX4 XPT
Hoja de datos
6En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V - 20 V, 20 V 160 A 625 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS IGBT TO247 1700V 16A IGBT
Hoja de datos
81En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.7 kV 3.8 V - 20 V, 20 V 40 A 310 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBT
Hoja de datos
217En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.4 V - 20 V, 20 V 36 A 230 W - 55 C + 150 C IXYH20N120 Tube
IXYS IGBT 1200V XPT GenX3 IGBT
Hoja de datos
208En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.3 V - 20 V, 20 V 75 A 500 W - 55 C + 150 C IXYH30N120 Tube
IXYS IGBT GenX3 1200V XPT IGBT
Hoja de datos
66En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.5 V - 20 V, 20 V 90 A 577 W - 55 C + 175 C IXYH40N120 Tube
IXYS IGBT XPT 900V IGBT GenX3 XPT IGBT
Hoja de datos
108En existencias
300Fecha prevista: 16/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 900 V 2.5 V - 20 V, 20 V 90 A 500 W - 55 C + 150 C IXYH40N90 Tube
IXYS IGBT TO247 1200V 55A XPT
Hoja de datos
67En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 175 A 650 W - 55 C + 175 C Trench Tube

IXYS IGBT XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT SOT227B
Hoja de datos
389En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SOT-227-4 Screw Mount Single 1.2 kV 2.4 V - 20 V, 20 V 220 A 830 W - 55 C + 175 C 1200V XPTTM Gen 6 Tube
IXYS IGBT GenX3 1200V XPT IGBT
Hoja de datos
350En existencias
250Fecha prevista: 23/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.3 V - 20 V, 20 V 75 A 500 W - 55 C + 175 C IXYP30N120 Tube
IXYS IGBT XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO220
Hoja de datos
265En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 134 A 395 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT 900V 8A 2.5V XPT IGBT GenX3
Hoja de datos
31En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-252-3 SMD/SMT Single 900 V 3 V - 20 V, 20 V 20 A 125 W - 55 C + 175 C Planar Tube
IXYS IGBT N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
Hoja de datos
58En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 78 A 325 W - 40 C + 125 C IXA45IF1200HB Tube

IXYS IGBT IGBT, Diode 1200V, 75A
Hoja de datos
59En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.5 V - 20 V, 20 V 75 A 380 W - 55 C + 150 C IXGH40N120 Tube
IXYS IGBT 20 Amps 1700 V 4 V Rds
Hoja de datos
30En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 1.7 kV 2.7 V - 20 V, 20 V 20 A 110 W - 55 C + 150 C IXGT10N170 Tube
IXYS IGBT 120 Amps 600V
Hoja de datos
5En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-PLUS-3 Through Hole Single 600 V 1.2 V - 20 V, 20 V 200 A 780 W - 55 C + 150 C IXGX120N60 Tube
IXYS IGBT XPT IGBT C3-Class 600V/190Amp
Hoja de datos
1En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247AD Through Hole Single 600 V 2.2 V - 20 V, 20 V 190 A 830 W - 55 C + 150 C IXXH100N60 Tube
IXYS IGBT XPT 600V IGBT GenX3 w/Diode
Hoja de datos
2En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Screw Mount Single 600 V 1.8 V - 20 V, 20 V 170 A 500 W - 55 C + 150 C Planar Tube
IXYS IGBT XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO247
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 28 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 290 A 830 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO247
Hoja de datos
135En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 220 A 650 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT TO264 3KV 55A BIMOSFET
Hoja de datos
1.275Fecha prevista: 22/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 3 kV 3.2 V - 25 V, 25 V 130 A 625 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube