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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Empaquetado / Estuche
Estilo de montaje
Configuración
Voltaje colector-emisor VCEO máx.
Voltaje de saturación colector-emisor
Voltaje puerta-emisor máximo
Corriente continua del colector a 25 C
Pd (disipación de potencia)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Serie
Empaquetado
IXYS IGBT Disc IGBT XPT-GenX3 SOT-227UI(mini
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si SOT-227B-4 Screw Mount Single 650 V 2.3 V - 20 V, 20 V 190 A 830 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT SOT227 650V 270A GENX3
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 10

SOT-227B-4 Screw Mount Single 1.5 kW - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT 1200V XPT IGBT GenX3
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 32 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 10

Si SOT-227B-4 Screw Mount Single 1.2 kV 3.2 V - 20 V, 20 V 120 A 600 W - 55 C + 175 C IXYN82N120 Tube
IXYS IGBT Disc IGBT XPT-GenX3 TO-220AB/FP
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 1.95 V - 20 V, 20 V 32 A 160 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT Disc IGBT XPT-GenX3 TO-220AB/FP
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 300
Múlt.: 50

Si - 20 V, 20 V Planar Tube
IXYS IGBT Disc IGBT XPT-GenX3 TO-220AB/FP
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 2.27 V - 20 V, 20 V 15 A 53 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT TO220 650V 15A GENX3
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole Single 650 V 2.5 V - 20 V, 20 V 38 A 200 W - 55 C + 175 C Planar Tube
IXYS IGBT TO263 1200V 20A XPT
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 32 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.9 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX48 Tube
IXYS IGBT TO220 1200V 20A IGBT
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 32 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 50

Si TO-220-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 76 A 375 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT TO247 1200V 20A IGBT
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 32 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 68 A 375 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX49 Tube
IXYS IGBT Disc IGBT XPT-GenX3 TO-220AB/FP
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 300
Múlt.: 50
Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 1.77 V - 20 V, 20 V 58 A 230 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT TO220 650V 20A GENX3 No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-220AB-3 Through Hole Tube
IXYS IGBT TO263 1KV 24A XPT
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 50

Si TO-220-3 Through Hole Single 1 kV 1.9 V - 20 V, 20 V 85 A 375 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT TO220 1KV 24A IGBT
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 29 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 50

Si TO-220-3 Through Hole Single 1 kV 2.3 V - 20 V, 20 V 76 A 375 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX50 Tube
IXYS IGBT TO220 1KV 30A IGBT
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 32 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 50

Si TO-220-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.9 V - 20 V, 20 V 106 A 500 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX51 Tube
IXYS IGBT TO220 650V 30A XPT
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 2.35 V - 20 V, 20 V 60 A 270 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT XPT 900V IGBT GenX3 XPT IGBT
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 50

Si TO-220-3 Through Hole Single 900 V 3 V - 20 V, 20 V 20 A 125 W - 55 C + 175 C IXYP8N90 Tube
IXYS IGBT Disc IGBT XPT-GenX3 TO-3P (3)
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 300
Múlt.: 30
Si TO-3P-3 Through Hole Single 650 V 1.8 V - 20 V, 20 V 70 A 270 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si - 20 V, 20 V Tube
IXYS IGBT XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBT
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 32 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.5 V - 20 V, 20 V 110 A 484 W - 55 C + 175 C IXYR100N120 Tube

IXYS IGBT ISOPLUS 1200V 32A DIODE
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 65 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

Si - 20 V, 20 V Tube
IXYS IGBT TO268 1200V 17A DIODE
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 32 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 1.2 kV 3.4 V - 20 V, 20 V 36 A 230 W - 55 C + 150 C Tube
IXYS IGBT 650V/60A XPT Copacked TO-268HV
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 650 V 2.35 V - 20 V, 20 V 60 A 270 W - 55 C + 175 C IXYT30N65C3 Tube
IXYS IGBT TO268 1200V 40A XPT
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 76 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 600 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT TO268 900V 80A XPT
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

Si SMD/SMT Single 900 V 2.7 V - 20 V, 20 V 165 A 830 W - 55 C + 175 C Planar Tube