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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Empaquetado / Estuche Estilo de montaje Configuración Voltaje colector-emisor VCEO máx. Voltaje de saturación colector-emisor Voltaje puerta-emisor máximo Corriente continua del colector a 25 C Pd (disipación de potencia) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Serie Empaquetado
IXYS IGBT TO247 650V 30A GENX3 No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

Si TO-247AD-3 Through Hole Single - 20 V, 20 V Tube
IXYS IGBT 650V/60A XPT C3 Copacked TO-247 No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 650 V 2.35 V - 20 V, 20 V 60 A 270 W - 55 C + 175 C IXYH30N65C Tube
IXYS IGBT TO247 1200V 40A IGBT No en almacén Plazo producción 32 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 140 A 600 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX45 Tube
IXYS IGBT TO247 1200V 40A GENX3 No en almacén Plazo producción 32 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

Si TO-247AD-3 Through Hole Single Tube
IXYS IGBT TO247 1200V 112A IGBT No en almacén Plazo producción 32 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 136 A 680 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT TO247 1200V 40A IGBT No en almacén Plazo producción 32 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 120 A 680 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT 650V/80A XPT C3-Class TO-247 No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 650 V 1.85 V - 20 V, 20 V 80 A 300 W - 55 C + 175 C IXYH40N65 Tube
IXYS IGBT Disc IGBT XPT-GenX3 TO-247AD No en almacén
Mín.: 300
Múlt.: 30

Si TO-247AD-3 Through Hole Single - 20 V, 20 V Tube
IXYS IGBT GenX3 900V XPT IGBT No en almacén Plazo producción 30 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 900 V 2.2 V - 20 V, 20 V 105 A 600 W - 55 C + 175 C IXYH40N90 Tube
IXYS IGBT 1700V/178A High Volt No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1

- 20 V, 20 V
IXYS IGBT 650V/130A XPT C3-Class TO-247 No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 650 V 1.74 V - 20 V, 20 V 130 A 600 W - 55 C + 175 C IXYH50N65 Tube
IXYS IGBT Disc IGBT XPT-GenX3 TO-247AD No en almacén
Mín.: 300
Múlt.: 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.73 V - 20 V, 20 V 132 A 600 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT 650V/170A XPT C3-Class TO-247 No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 650 V 1.8 V - 20 V, 20 V 170 A 750 W - 55 C + 175 C IXYH75N65 Tube
IXYS IGBT Disc IGBT XPT-GenX3 TO-247AD No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si TO-247AD-3 Through Hole Single 650 V 1.8 V - 20 V, 20 V 175 A 750 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT TO247 2500V 8A XPT No en almacén Plazo producción 57 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

TO-247HV-3 Through Hole Single - 20 V, 20 V 280 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT XPT 1200V IGBT GenX7 XPT IGBT No en almacén Plazo producción 32 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 4 V - 20 V, 20 V 21 A 105 W - 55 C + 150 C IXYJ20N120 Tube
IXYS IGBT 1200V 188A XPT IGBT No en almacén Plazo producción 32 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 25

Si TO-264-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.5 V - 20 V, 20 V 195 A 1.15 kW - 55 C + 175 C IXYK100N120 Tube
IXYS IGBT Disc IGBT XPT-GenX3 TO-264(3) No en almacén
Mín.: 300
Múlt.: 25
Si TO-264-3 Through Hole Single 650 V 1.85 V - 20 V, 20 V 225 A 830 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT TO264 No en almacén Plazo producción 32 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 25

Si TO-264-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.4 V - 20 V, 20 V 310 A 1.36 kW - 55 C + 175 C 1200V XPTTM Gen 8 Tube
IXYS IGBT TO264 1200V 120A GENX3 No en almacén Plazo producción 32 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 25
Si TO-264-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 320 A 1.5 kW - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT TO264 900V 140A GENX3 Plazo producción 30 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 900 V 2.7 V - 20 V, 20 V 310 A 1.63 kW - 55 C + 175 C Planar Tube
IXYS IGBT TO264 1700V 30A DIODE No en almacén Plazo producción 57 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 25

TO-264-3 Through Hole Single 937 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT ISOPLUS 2500V 40A DIODE No en almacén Plazo producción 57 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 25

ISOPLUS i5-PAC Through Hole Single 577 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT SOT227 1200V 76A DIODE No en almacén Plazo producción 32 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 10

Si - 20 V, 20 V Planar Tube
IXYS IGBT Disc IGBT XPT-GenX3 SOT-227UI(mini No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si SOT-227B-4 Screw Mount Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 250 A 830 W - 55 C + 175 C Tube