Resultados: 577
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Empaquetado / Estuche
Estilo de montaje
Configuración
Voltaje colector-emisor VCEO máx.
Voltaje de saturación colector-emisor
Voltaje puerta-emisor máximo
Corriente continua del colector a 25 C
Pd (disipación de potencia)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Serie
Empaquetado
IXYS IGBT TO264 600V 200A XPT
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

Si TO-247-PLUS-3 Through Hole Single 600 V 2.1 V - 20 V, 20 V 340 A 1.63 kW - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT XPT 600V IGBT 300A
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30
Si - 20 V, 20 V IXXX300N60 Tube
IXYS IGBT Disc IGBT XPT-GenX3 TO-263D2
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 650 V 1.96 V - 20 V, 20 V 38 A 200 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT TO263 1200V 20A XPT
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 32 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 50

Si TO-263HV-2 SMD/SMT Single 1.2 kV 3.4 V - 20 V, 20 V 40 A 278 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT TO263 650V 20A XPT
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 650 V 2.27 V - 20 V, 20 V 50 A 230 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT IXYA20N65C3 TRL
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 800
Múlt.: 800
Bobina: 800

Si TO-263AA-3 SMD/SMT Single 650 V 2.5 V - 20 V, 20 V 50 A 230 W - 55 C + 175 C Reel
IXYS IGBT Disc IGBT XPT-GenX3 TO-263D2
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 300
Múlt.: 50
Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 650 V 2.27 V - 20 V, 20 V 50 A 200 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT 650V/130A XPT C3-Class TO-263
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 50
Si D2PAK-2 (TO-263-2) SMD/SMT Single 650 V 2.1 V - 20 V, 20 V 130 A 600 W - 55 C + 175 C IXYA50N65 Tube
IXYS IGBT TO263 650V 50A XPT
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 800
Múlt.: 800
Bobina: 800

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 600 W - 55 C + 175 C Reel
IXYS IGBT 900V 8A 2.5V XPT IGBT GenX3 w/ Diode
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 50

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 900 V 2.5 V - 20 V, 20 V 20 A - 55 C + 175 C Planar Tube
IXYS IGBT I4PAK 4500V 23A IGBT
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 57 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 25

Si Through Hole Single 4.5 kV 3.9 V - 20 V, 20 V 23 A 230 W - 55 C + 150 C High Voltage Tube
IXYS IGBT TO247 650V 100A GENX3
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.8 V - 20 V, 20 V 240 A 470 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT 650V/200A XPT C3-Class TO-247
Hoja de datos
Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2.3 V - 20 V, 20 V 200 A 830 W - 55 C + 175 C IXYH100N65 Tube
IXYS IGBT XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO247
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 28 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 290 A 830 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT TO247 650V 120A GENX3
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 340 A 1.36 kW - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT TO247 650V 120A GENX3
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2.3 V - 20 V, 20 V 260 A 1.36 kW - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT TO247 2500V 12A IGBT
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 57 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

Si TO-247HV-3 Through Hole Single 310 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT TO247 1700V 16A IGBT
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 57 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

TO-247-3 Through Hole Single - 20 V, 20 V 310 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT GenX3 1200V XPT IGBT
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 32 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 4 V - 20 V, 20 V 40 A 278 W - 55 C + 175 C IXYH20N120 Tube
IXYS IGBT TO263 650V 20A XPT
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

- 20 V, 20 V Tube
IXYS IGBT TO263 650V 20A XPT
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 650 V 2.27 V - 20 V, 20 V 50 A 230 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT GenX3 900V XPT IGBT
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 900 V 2.3 V - 20 V, 20 V 46 A 240 W - 55 C + 175 C IXYH24N90 Tube
IXYS IGBT TO247 1200V 30A XPT
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 32 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 100 A 500 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX43 Tube
IXYS IGBT TO247 1200V 30A XPT
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 32 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.4 V - 20 V, 20 V 94 A 500 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX44 Tube
IXYS IGBT Disc IGBT XPT-GenX3 TO-247AD
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 300
Múlt.: 30
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.8 V - 20 V, 20 V 70 A 270 W - 55 C + 175 C Tube