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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Empaquetado / Estuche
Estilo de montaje
Configuración
Voltaje colector-emisor VCEO máx.
Voltaje de saturación colector-emisor
Voltaje puerta-emisor máximo
Corriente continua del colector a 25 C
Pd (disipación de potencia)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Serie
Empaquetado

IXYS IGBT G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 48A
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

Si TO-247AD-3 Through Hole 600 V 1.18 V - 20 V, 20 V 300 W - 55 C + 150 C IXGH48N60 Tube

IXYS IGBT 75Amps 1200V
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 65 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

Si TO-247AD-3 - 20 V, 20 V IXGH50N120 Tube

IXYS IGBT GenX3 600V IGBT
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 600 V 1.59 V 20 V 64 A - 55 C + 150 C IXGH64N60 Tube

IXYS IGBT 85 Amps 300V
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 300 V - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C IXGH85N30 Tube
IXYS IGBT 120 Amps 1200V
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 49 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 25

Si TO-264-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.2 V - 20 V, 20 V 240 A 830 W - 55 C + 150 C IXGK120N120 Tube

IXYS IGBT 200Amps 1200V
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 65 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 25

Si Through Hole Single 1.2 kV 3 V - 20 V, 20 V 200 A 830 W - 55 C + 150 C IXGK120N120 Tube

IXYS IGBT High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 65 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 25

Si TO-264-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.6 V 20 V 95 A - 55 C + 150 C IXGK50N120 Tube

IXYS IGBT Low-Frequency Range Low Vcesat w/ Diode
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 65 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 25

Si TO-264-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V 20 V 125 A - 55 C + 150 C IXGK55N120 Tube
IXYS IGBT Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 25

Si TO-264-3 Through Hole 600 V 600 V 20 V 75 A 540 W - 55 C + 150 C IXGK72N60 Tube

IXYS IGBT GenX3 1200V IGBT
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 65 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 25

Si IXGK82N120 Tube

IXYS IGBT GenX3 1200V IGBT
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 65 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 25

Si IXGK82N120 Tube
IXYS IGBT 130Amps 1200V
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 32 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 10

Si IXGN82N120 Tube
IXYS IGBT G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 32 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 50

Si Through Hole Single 1.2 kV 3.1 V - 20 V, 20 V 36 A 180 W - 55 C + 150 C IXGP20N120 Tube
IXYS IGBT 24 Amps 1200V
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 32 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 50

Si TO-220-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.6 V - 20 V, 20 V 48 A 250 W - 55 C + 150 C IXGP24N120 Tube
IXYS IGBT TO220 600V 36A GENX3
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.4 V - 20 V, 20 V 200 A 220 W - 55 C + 150 C Tube

IXYS IGBT 8 Amps 1700V 5.2 Rds
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 39 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

Si ISOPLUS247-3 Through Hole Single 1.7 kV 4.2 V - 20 V, 20 V 16 A 120 W - 55 C + 150 C IXGR16N170 Tube
IXYS IGBT 48 Amps 1200V 2.75 Rds
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 65 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

Si ISOPLUS247-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.6 V - 20 V, 20 V 48 A 200 W - 55 C + 150 C IXGR24N120 Tube

IXYS IGBT 48 Amps 1200V No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si - 20 V, 20 V IXGR24N120 Tube
IXYS IGBT 17 Amps 1700V 5.2 Rds
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 39 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

Si ISOPLUS247-3 Through Hole Single 1.7 kV 4.2 V - 20 V, 20 V 26 A 200 W - 55 C + 150 C IXGR32N170 Tube

IXYS IGBT 48 Amps 600V 2 Rds No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si - 20 V, 20 V IXGR48N60 Tube

IXYS IGBT High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 65 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.2 V 20 V 70 A - 55 C + 150 C IXGR55N120 Tube
IXYS IGBT 32 Amps 1700 V 3.5 V Rds
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 39 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30
Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 1.7 kV 2.7 V - 20 V, 20 V 32 A 190 W - 55 C + 150 C IXGT16N170 Tube
IXYS IGBT 11 Amps 1700V 5 Rds
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 39 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT 5 V - 20 V, 20 V IXGT16N170 Tube
IXYS IGBT 24 Amps 1200 V 3.3 V Rds
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 30
Múlt.: 30
Si TO-268-3 SMD/SMT Single 1.7 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 50 A 250 W - 55 C + 150 C IXGT24N170 Tube
IXYS IGBT 24 Amps 1200 V 5 V Rds
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si TO-268-3 SMD/SMT Single 1.7 kV 4.5 V - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C IXGT24N170 Tube