Resultados: 577
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Empaquetado / Estuche
Estilo de montaje
Configuración
Voltaje colector-emisor VCEO máx.
Voltaje de saturación colector-emisor
Voltaje puerta-emisor máximo
Corriente continua del colector a 25 C
Pd (disipación de potencia)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Serie
Empaquetado
IXYS IGBT TO247 2500V 2A IGBT
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 2.5 kV 3.8 V - 20 V, 20 V 5 A 32 W - 55 C + 150 C Tube
IXYS IGBT BIMOSFET 2500V 75A
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 80 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 25

Si TO-264-3 Through Hole Single 2.5 kV 3 V - 25 V, 25 V 156 A 753 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube
IXYS IGBT 65Amps 1700V
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 10
Múlt.: 10

Si TO-264-3 Through Hole - 20 V, 20 V IXBK75N170
IXYS IGBT 3600V/92A Rev Conducting IGBT
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 25
Múlt.: 25

Si ISOPLUS i5-PAC-3 Through Hole Tube
IXYS IGBT MOSFET 2500V 46A ISOPLUS I5-PAK
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 57 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 25

Si ISOPLUS i5-PAC-3 Through Hole Very High Voltage Tube
IXYS IGBT 42 Amps 1700V 6.0 V Rds
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 37 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 10

Si SOT-227B-4 Screw Mount Single 1.7 kV 6 V - 20 V, 20 V 38 A 313 W - 55 C + 150 C IXBN42N170 Tube
IXYS IGBT 57Amps 1700V
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 30
Múlt.: 30

Si ISOPLUS247-3 Through Hole IXBR42N170 Tube
IXYS IGBT 10 Amps 1700V 2.3 Rds
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 70 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30
Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 1.7 kV 3.4 V - 20 V, 20 V 20 A 140 W - 55 C + 150 C IXBT10N170 Tube
IXYS IGBT TO268 1700V 16A IGBT
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 37 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 1.7 kV 6 V - 20 V, 20 V 16 A 150 W - 55 C + 150 C Tube
IXYS IGBT BiMOSFETs/Reverse Conducting IGBT
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 70 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT IXBT24N170 Tube
IXYS IGBT Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-PLUS-3 Through Hole Single 3 kV 3.2 V - 25 V, 25 V 130 A 625 W - 55 C + 150 C Tube
IXYS IGBT 65Amps 1700V
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 39 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

Si TO-247-PLUS-3 Through Hole - 20 V, 20 V IXBX75N170 Tube
IXYS IGBT 20 Amps 1200V
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 800
Múlt.: 800
Bobina: 800
Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 1.2 kV 2.8 V - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C IXDA20N120AS Reel
IXYS IGBT TO247 1200V 100A GENX4 No en almacén Plazo producción 47 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

Si TO-247-PLUS-3 Through Hole 1.2 kV 2.2 V 140 A Tube
IXYS IGBT IXGA12N120A3 TRL
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 32 Semanas
Mín.: 800
Múlt.: 800
Bobina: 800

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 1.2 kV 2.4 V - 20 V, 20 V 22 A 100 W - 55 C + 150 C Reel
IXYS IGBT IXGA20N120A3 TRL
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 32 Semanas
Mín.: 800
Múlt.: 800
Bobina: 800

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 1.2 kV 2.3 V - 20 V, 20 V 40 A 180 W - 55 C + 150 C Reel
IXYS IGBT GenX3 1200V IGBT
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 32 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 50

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 1.2 kV 2.7 V 20 V 36 A - 55 C + 150 C IXGA20N120 Tube
IXYS IGBT IXGA20N120B3 TRL
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 32 Semanas
Mín.: 800
Múlt.: 800
Bobina: 800

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 1.2 kV 2.7 V - 20 V, 20 V 36 A 180 W - 55 C + 150 C Reel
IXYS IGBT IXGA30N120B3 TRL
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 32 Semanas
Mín.: 800
Múlt.: 800
Bobina: 800

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 1.2 kV 2.96 V - 20 V, 20 V 60 A 300 W - 55 C + 150 C Reel
IXYS IGBT IXGA48N60B3 TRL
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 800
Múlt.: 800
Bobina: 800

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 600 V 1.8 V - 20 V, 20 V 48 A 300 W - 55 C + 150 C Reel
IXYS IGBT IXGA48N60C3 TRL
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 800
Múlt.: 800
Bobina: 800

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 600 V 2.3 V - 20 V, 20 V 75 A 300 W - 55 C + 150 C Reel
IXYS IGBT
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 25
Múlt.: 25

Si Tube

IXYS IGBT 120 Amps 300V
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 300 V 1.75 V - 20 V, 20 V 75 A 540 W - 55 C + 150 C IXGH120N30 Tube

IXYS IGBT GenX3 1200V IGBT
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 32 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.4 V 20 V 22 A - 55 C + 150 C IXGH12N120 Tube

IXYS IGBT High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 65 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

Si TO-247AD-3 - 20 V, 20 V IXGH24N120 Tube