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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Empaquetado / Estuche
Estilo de montaje
Configuración
Voltaje colector-emisor VCEO máx.
Voltaje de saturación colector-emisor
Voltaje puerta-emisor máximo
Corriente continua del colector a 25 C
Pd (disipación de potencia)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Serie
Empaquetado
IXYS IGBT TO247 650V 320A IGBT
Hoja de datos
1.080Disponible de fábrica
Más información disponible
Mín.: 300
Múlt.: 30
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2.3 V - 20 V, 20 V 320 A 1.2 kW - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX8 Tube

IXYS IGBT TO247 650V 40A GENX4
Hoja de datos
1.140Disponible de fábrica
Más información disponible
Mín.: 300
Múlt.: 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2 V - 20 V, 20 V 123 A 455 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS IGBT XPT IGBT B3-Class 600V/190Amp CoPacked
Hoja de datos
300Disponible de fábrica
Más información disponible
Mín.: 300
Múlt.: 25

Si TO-264-3 Through Hole Single 600 V 1.8 V - 20 V, 20 V 190 A 695 W - 55 C + 150 C IXXK100N60 Tube

IXYS IGBT SOT227 650V 340A IGBT
Hoja de datos
340Disponible de fábrica
Más información disponible
Mín.: 300
Múlt.: 10

Si SOT-227B-3 Screw Mount Single 650 V 1.7 V - 20 V, 20 V 520 A 1.5 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS IGBT TO247 1700V 16A IGBT
Hoja de datos
750Disponible de fábrica
Más información disponible
Mín.: 300
Múlt.: 30

TO-247-3 Through Hole Single - 20 V, 20 V 310 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT SMPD IGBT Power Device
Hoja de datos
300Disponible de fábrica
Más información disponible
Mín.: 300
Múlt.: 20

Si SMDP-21 SMD/SMT Single 600 V 1.7 V - 20 V, 20 V 175 A 520 W - 55 C + 150 C MMIX1X200N60 Tube
IXYS IGBT GenX3 XPT 600V
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 28 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 25

Si TO-264-3 Through Hole Single 600 V 1.4 V - 20 V, 20 V 380 A 1.63 kW - 55 C + 175 C IXXK200N60 Tube


IXYS IGBT TO263 2500V 30A IGBT
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 50

Si SMD/SMT Single 2.5 kV 3.1 V - 20 V, 20 V 30 A 150 W - 55 C + 150 C Tube
IXYS IGBT Disc IGBT XPT-GenX4 TO-264(3)
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
Si TO-264-3 Through Hole Single 750 V 2.1 V - 20 V, 20 V 240 A 880 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX22 Tube
IXYS IGBT 600V 40A
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si ISOPLUS i4-PAC-5 Through Hole FII40-06D Tube
IXYS IGBT Disc IGBT XPT-GenX4 TO-247AD
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 32 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 38 A - 55 C + 150 C Tube
IXYS IGBT Disc IGBT XPT-GenX3 ISOPLUS247
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

ISO247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.05 V - 20 V, 20 V 72 A 390 W - 40 C + 150 C Trench - 650V - 1200V GenX4 Tube
IXYS IGBT XPT IGBT Phaseleg
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si - 20 V, 20 V IXA20RG1200DHGLB
IXYS IGBT XPT IGBT Phaseleg
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si - 20 V, 20 V IXA30RG1200DHGLB
IXYS IGBT XPT IGBT Phaseleg
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si - 20 V, 20 V IXA40RG1200DHGLB
IXYS IGBT XPT IGBT Copack
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 300
Múlt.: 30

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 9 A 45 W - 55 C + 150 C IXA4IF1200 Tube
IXYS IGBT XPT Single IGBT
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Single IXB200I600NA Tube
IXYS IGBT XPT Single IGBT
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si Single IXB80IF600NA Tube
IXYS IGBT TO263 3KV 14A HI GAIN
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 48 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 50

Si TO-263HV-3 SMD/SMT Single 3 kV 2.2 V - 20 V, 20 V 38 A 200 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube
IXYS IGBT Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt I4-PAK ISO+
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 27 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 25

Si ISOPLUS i4-3 Through Hole Single 3 kV 3.2 V - 20 V, 20 V 34 A 150 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube
IXYS IGBT ISOPLUS 3KV 22A IGBT
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 34 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 25

Si ISOPLUS i4-3 Through Hole Single 3 kV 2.8 V - 20 V, 20 V 40 A 160 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube
IXYS IGBT 40 Amps 1600V
Hoja de datos
N/A
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si ISOPLUS i4-PAC-3 Through Hole Single 1.6 kV 6.2 V - 20 V, 20 V 28 A 250 W - 55 C + 150 C IXBF40N160 Tube
IXYS IGBT High Voltage High Gain BIMOSFET
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 57 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 25

Si ISOPLUS i4-PAC-3 Through Hole Single 3 kV 2.7 V - 25 V, 25 V 86 A 357 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube
IXYS IGBT TO247 3KV 10A IGBT
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 57 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 30

Si TO-247HV-3 Through Hole Single 3 kV 2.8 V - 20 V, 20 V 34 A 180 W - 55 C + 150 C Tube
IXYS IGBT TO247 2500V 2A IGBT
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 2.5 kV 3.8 V - 20 V, 20 V 5 A 32 W - 55 C + 150 C Tube