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DMP21D0UFB-7B

Name: Diodes Incorporated DMP21D0UFB-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMP21D0UFB-7B
Price: 0.36 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

621-DMP21D0UFB-7B

Fabr. N.º:

DMP21D0UFB-7B

Fabr.:

Diodes Incorporated

Descripción:

MOSFET 20V P-Ch Enh FET Pd .43W -8Vgss -5.0A

Hoja de datos:

DMP21D0UFB-7B Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Fecha prevista: 13/05/2026
Plazo de producción de fábrica:: 24

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Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 10000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,361 €	0,36 €
	0,22 €	2,20 €
	0,139 €	13,90 €
	0,104 €	52,00 €
	0,083 €	83,00 €
	0,077 €	385,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 10000)
	0,077 €	770,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	X1-DFN1006-3
Polaridad de transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	20 V
Id: corriente de drenaje continuo:	770 mA
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	960 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 8 V, 8 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1 V
Qg (carga de compuertas):	1.5 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	430 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Diodes Incorporated
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	18.5 ns
Transconductancia delantera: mín.:	50 mS
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	8 ns
Serie:	DMP21D0UFB
Cantidad del paquete de fábrica:	10000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel, ESD
Tiempo típico de retraso de apagado:	31.7 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	7.1 ns
Peso unitario:	43,773 mg

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Atributos seleccionados: 0

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DMP21D0UFB-7B Hoja de datos (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

DMP21D0UFB 20V P-Channel E-MOSFET

Diodes Incorporated DMP21D0UFB 20V P-Channel E-Mode MOSFET, ideal for power management applications. Designed to minimize the on-state resistance (R_DS(ON)) offering superior switching performance. This MOSFET features low gate threshold voltage, fast switching speed, and 3KV ESD protected gate. The DMP21D0UFB MOSFET comes in a molded plastic case material with a green molding compound. The UL flammability classification rating is 94V-0 and MSL level 1 per J-STD-020D. This MOSFET provides terminals with NiPdAu over the copper lead frame, solderable per MIL-STD-202 (Method 208).