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STD80N450K6

Name: STMicroelectronics STD80N450K6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD80N450K6
Price: 3.59 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-STD80N450K6

Fabr. N.º:

STD80N450K6

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFET N-channel 800 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package

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-,-- €

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	3,59 €	3,59 €
	2,36 €	23,60 €
	1,76 €	176,00 €
	1,57 €	785,00 €
	1,34 €	1.340,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
	1,26 €	3.150,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	800 V
Id: corriente de drenaje continuo:	10 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	450 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, 30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3 V
Qg (carga de compuertas):	17.3 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	83 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	12.7 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	4 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado:	28.8 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	10.6 ns
Peso unitario:	330 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs are Zener-protected and 100% avalanche-tested. These power MOSFETs feature 800V minimum drain-source breakdown voltage, ±30V gate-source voltage, and -55°C to 150°C operating junction temperature range. The MDmesh K6 Power MOSFETs also feature 5V/ns peak diode recovery voltage slope, 100A/µs peak diode recovery current slope, and 120V/ns MOSFET dv/dt ruggedness. Typical applications include notebook and AIO, flyback converters, adapters for tablets, and LED lighting.

STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6 Power MOSFET

STMicroelectronics STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6 Power MOSFET is a high voltage N-channel Power MOSFET featuring Zener protection and 100% avalanche. This MOSFET also features ultra-low gate charge, ±30V gate-source voltage, 83W total power dissipation, worldwide R_DS(ON) x area, and worldwide Figure Of Merit (FOM). The MOSFET operates from -55°C to 150°C junction temperature range and is available in DPAK (TO-252) type A2 package. Typical applications include flyback converters, LED lighting, and adapters for tablets, and notebooks.