iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs

iDEAL Semi iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs are designed for SMPS and high-efficiency motor drives. The 200V MOSFETs feature ultra-low conduction and switching losses in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm. The iDEAL Semi iS20M028S1C SuperQ 200V N-Ch Power MOSFETs supply superior RDS(on) and QSW, while minimizing heat dissipation at both full and partial loads.

Resultados: 5
Seleccionar Imagen Número de referencia
 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
iDEAL Semiconductor MOSFET SuperQ power MOSFET 200 V, 25m? max, normal threshold level in TO-220 package
Hoja de datos
2.102En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 40 A 25 mOhms 20 V 4.1 V 26.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SuperQ Tube
iDEAL Semiconductor MOSFET
Hoja de datos
203En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 100

Si SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 200 V 45 A 25 mOhms 20 V 4.1 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement SuperQ Reel, Cut Tape
iDEAL Semiconductor MOSFET
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 200 V 45 A 25 mOhms 20 V 4.1 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement SuperQ Reel, Cut Tape
iDEAL Semiconductor MOSFET SuperQ MOSFET 200 V, 5.5m max, normal threshold level in TOLL package
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 2 Semanas
Mín.: 200
Múlt.: 1

Si SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 200 V 151 A 5.5 mOhms 20 V 4.1 V 112 nC - 55 C + 175 C 314 W Enhancement SuperQ Bulk
iDEAL Semiconductor MOSFET SuperQ MOSFET 200 V, 5.5m max, normal threshold level in TOLL package
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 200 V 151 A 5.5 mOhms 20 V 4.1 V 112 nC - 55 C + 175 C 314 W Enhancement SuperQ Reel