UJ3C SiC FETs

onsemi UJ3C SiC FETs are Silicon Carbide (SiC) FETs are based on a unique cascode configuration and optimized for soft-switching designs. The UJ3C SiC FETs are ideal for upgrading an existing silicon-based device or starting a SiC-based design. These devices integrate a SiC JFET with a custom-designed Si-MOSFET to produce the ideal combination of normally-OFF operation, high-performance body diode, and easy gate drive of the MOSFET with the efficiency, speed, and high-temperature rating of the SiC JFET. As a result, existing systems can expect a performance increase with lower conduction and switching losses, enhanced thermal properties, and integrated gate ESD protection. 

Resultados: 11
Seleccionar Imagen Número de referencia
 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Cualificación
Nombre comercial
onsemi MOSFET de SiC 650V/30MOSICFETG3TO220-3
Hoja de datos
370En existencias
1.000Fecha prevista: 28/12/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 250

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 650V/80MOSICFETG3TO220-3
Hoja de datos
1.432En existencias
2.000Fecha prevista: 24/11/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 100

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 650V/80MOSICFETG3TO247
Hoja de datos
739En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 30

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 650V/30MOSICFETG3TO247
Hoja de datos
532En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 650V/80MOSICFETG3TO263-3
Hoja de datos
196En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 1200V/70MOSICFETG3TO24
Hoja de datos
1.310En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 40

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34.5 A 90 mOhms - 12 V, + 12 V 6 V 46 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 1200V/40MOSICFETG3TO24
Hoja de datos
392En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO24
Hoja de datos
627En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 110

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 33 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 1200V/150MOSICFETG3TO2
Hoja de datos
53En existencias
600Fecha prevista: 16/11/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 20

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 18.4 A 180 mOhms - 25 V, + 25 V 3.5 V 30 nC - 55 C + 175 C 166.7 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 1200V/70MOSICFETG3TO24
Hoja de datos
590En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34.5 A 90 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 46 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFET de SiC 650V/30MOSICFETG3TO263-3
Hoja de datos
9En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 66 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET