GANB1R2-040QBA & GANB012-040CBA GaN HEMTs

Nexperia GANB1R2-040QBA and GANB012-040CBA GaN HEMTs are 40V, 1.2mΩ or 12mΩ, bi-directional Gallium Nitride (GaN) High Electron-Mobility-Transistors (HEMTs).

Resultados: 2
Seleccionar Imagen Número de referencia
 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nexperia FET de GaN GANB012-040CBA/SOT8088/WLCSP12
Hoja de datos
2.200En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT WLCSP-12 P-Channel 1 Channel 40 V 10 A 12 mOhms 6 V 2.4 V 7.2 nC - 40 C + 125 C 11 W Enhancement
Nexperia FET de GaN GANB1R2-040QBA/SOT8092/VQFN16
Hoja de datos
1.826En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

SMD/SMT VQFN-16 P-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1.2 mOhms 6 V 2.4 V 60 nC - 40 C + 125 C 105 W Enhancement