Transistores de GaN de potencia RF Airfast A5Gx

Los transistores de GaN de potencia RF A5Gx Airfast de NXP Semiconductors son transistores de GaN de potencia RF Doherty asimétricos de 85 W y 112 W. Los transistores A5Gx de NXP Semiconductors son ideales para estaciones base para comunicaciones de telefonía móvil que necesitan anchos de banda amplios. El rendimiento de los dispositivos está garantizado dentro del rango de frecuencia especificado para cada parte, pero no fuera.

Resultados: 6
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima

NXP Semiconductors FET de GaN Airfast RF Power GaN Transistor, 717-850 MHz, 112 W Avg., 50 V
Hoja de datos
90En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C


NXP Semiconductors FET de GaN Airfast RF Power GaN Transistor, 2110-2200 MHz, 85 W Avg., 48 V
Hoja de datos
158En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C

NXP Semiconductors FET de GaN Airfast RF Power GaN Transistor, 1930 1995 MHz, 85 W Avg., 48 V
Hoja de datos
45En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 250



NXP Semiconductors FET de GaN Airfast RF Power GaN Transistor, 865-960 MHz, 112 W Avg., 50 V
Hoja de datos
25En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C


NXP Semiconductors FET de GaN Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 85 W Avg., 48 V
Hoja de datos
22En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C


NXP Semiconductors FET de GaN Airfast RF Power GaN Transistor, 1805-1880 MHz, 85 W Avg., 48 V
Hoja de datos
Plazo producción 53 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C