SIH Series MOSFETs

Vishay / Siliconix SIH Series MOSFETs offer 4th generation E series technology in a standard TO package. The devices supply a 30% reduction in conduction losses, increased power density, and higher efficiencies. The Vishay / Siliconix SIH series MOSFETs are designed for power supplies, including Switch Mode (SMPS), Power Factor Correction (PFC), and server/telecom.

Resultados: 21
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Empaquetado

Vishay / Siliconix MOSFET 100V Vds 20V Vgs SOT-223 80.872En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT SOT-223-3 P-Channel 1 Channel 100 V 1.1 A 1.2 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 8.7 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement

Vishay / Siliconix MOSFET -60V Vds 20V Vgs SOT-223 35.736En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT SOT-223-3 P-Channel 1 Channel 60 V 1.8 A 500 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 12 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET 500V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252) 4.704En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 3.3 A 3 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 17 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET 400V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252) 8.135En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 400 V 3.1 A 1.8 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 20 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252) 2.590En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 3.3 A 3 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 17 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix MOSFET 200V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252) 4.799En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 200 V 4.8 A 800 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 14 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFET -400V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252) 2.368En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 400 V 1.8 A 7 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 13 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET E Series Power MOSFET D2PAK (TO-263), 158 mohm a. 10V 1.767En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 158 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 24 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix MOSFET EF Series Power MOSFET TO-220 FULLPAK, 84 mohm a. 10V 1.646En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 158 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 24 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix MOSFET E Series Power MOSFET TO-220AB, 58 mohm a. 10V 2.004En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 158 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 24 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix MOSFET E Series Power MOSFET TO-220AB, 79 mohm a. 10V 1.901En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 158 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 24 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix MOSFET 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263) 1.528En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 100 V 6.8 A 600 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 18 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFET -60V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252) 1.881En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 8.8 A 280 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 19 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFET -100V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252) 524En existencias
9.000Fecha prevista: 23/11/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 100 V 5.6 A 600 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 18 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFET 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) No en almacén
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 39 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFET 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263) No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 100 V 19 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 61 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFET -200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263) No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 200 V 6.5 A 800 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 29 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252) No en almacén
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 1.7 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 24 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252) No en almacén
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 1.7 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 24 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement Reel
Vishay / Siliconix MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252) No en almacén
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 1.7 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 24 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement Reel
Vishay / Siliconix MOSFET -60V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252) No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 5.1 A 500 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 12 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement