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RM2312-T

Name: Rectron RM2312-T
Brand: Rectron
SKU: 583-RM2312-T
Price: 0.49 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

583-RM2312-T

Fabr. N.º:

RM2312-T

Fabr.:

Rectron

Descripción:

MOSFET

Hoja de datos:

RM2312-T Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,497 €	0,50 €
	0,367 €	3,67 €
	0,208 €	20,80 €
	0,14 €	70,00 €
	0,107 €	107,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,094 €	282,00 €
	0,081 €	486,00 €
	0,075 €	675,00 €
	0,067 €	1.608,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Rectron
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOT23-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	20 V
Id: corriente de drenaje continuo:	4.5 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	33 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 12 V, 12 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	500 mV
Qg (carga de compuertas):	10 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	1.25 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Rectron
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	28 ns
Transconductancia delantera: mín.:	10 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	18 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado:	60 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	20 ns

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Atributos seleccionados: 0

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RM2312-T Hoja de datos (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RM2312 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Rectron RM2312 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET uses advanced trench technology to provide excellent R_DS(ON). The MOSFET features a low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. The device is suitable for use as battery protection or in other switching applications.