Resultados: 8
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2
Hoja de datos
1.595En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 50

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 80 A 22 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 329 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2
Hoja de datos
690En existencias
240Fecha prevista: 22/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 129 A 12 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2
Hoja de datos
471En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 20

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 69 A 25 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 289 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
Hoja de datos
1.026En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 70

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A - 10 V, + 25 V 5.1 V 45 nC - 55 C + 175 C 244 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2
Hoja de datos
744En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 38 A 53 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2
Hoja de datos
77En existencias
480Fecha prevista: 17/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 20

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 97 A 17 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 382 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2
Hoja de datos
1.992Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 48 A 40 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 39 nC - 55 C + 175 C 218 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2
Hoja de datos
480Fecha prevista: 13/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 28 A 78 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 21 nC - 55 C + 175 C 143 W Enhancement CoolSiC