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SIJK5100E-T1-GE3

Name: Vishay SIJK5100E-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 78-SIJK5100E-T1-GE3
Price: 5.54 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

78-SIJK5100E-T1-GE3

Fabr. N.º:

SIJK5100E-T1-GE3

Fabr.:

Vishay

Descripción:

MOSFET PWRPK 100V 417A

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

SIJK5100E-T1-GE3 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PowerPAK-16
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	100 V
Id: corriente de drenaje continuo:	417 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	1.4 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Qg (carga de compuertas):	131 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	536 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Vishay
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	35 ns
Transconductancia delantera: mín.:	245 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	18 ns
Serie:	SIJK5100E
Cantidad del paquete de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	54 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	41 ns

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TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiJK5100E N-Channel MOSFET

Vishay / Siliconix SiJK5100E N-Channel MOSFET is a TrenchFET^® Gen V power MOSFET with 100V drain-source voltage. This MOSFET features 536W maximum power dissipation at +25°C, 487A continuous source-drain diode current at +25°C, and a single configuration. The SiJK5100E is UIS tested, lead free, and halogen free. Vishay / Siliconix SiJK5100E N-Channel MOSFET operates within a -55°C to +175°C temperature range. Typical applications include synchronous rectification, automation, power supplies, motor drive control, and battery management.