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BGA855N6E6327XTSA1

Name: Infineon BGA855N6E6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BGA855N6E6327XTS
Price: 0.54 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

726-BGA855N6E6327XTS

Fabr. N.º:

BGA855N6E6327XTSA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

Amplificador de RF RF MMIC SUB 3 GHZ

Hoja de datos:

BGA855N6E6327XTSA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 12000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,542 €	0,54 €
	0,381 €	3,81 €
	0,342 €	8,55 €
	0,298 €	29,80 €
	0,278 €	69,50 €
	0,266 €	133,00 €
	0,244 €	244,00 €
	0,238 €	952,00 €
	0,231 €	1.848,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 12000)
	0,231 €	2.772,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Amplificador de RF
RoHS:
Frecuencia de operación:	1.164 GHz to 1.3 GHz
Voltaje operativo de suministro:	1.1 V to 3.3 V
Corriente de suministro operativa:	4.4 mA
Ganancia:	17.6 dB
NF - Valor de ruido:	0.6 dB
Tipo:	Low Noise Amplifiers
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TSNP-6
Tecnología:	SiGe
P1dB - Punto de compresión:	- 14 dBm
OIP3 - Interceptación de tercer pedido:	1 dBm
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 85 C
Serie:	BGA855N6
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
Pérdida de retorno de entrada:	11 dB
Aislamiento dB:	22 dB
Número de canales:	1 Channel
Pd (disipación de potencia):	60 mW
Tipo de producto:	RF Amplifier
Cantidad del paquete de fábrica:	12000
Subcategoría:	Wireless & RF Integrated Circuits
Frecuencia de prueba:	1.214 GHz
Alias de parte #:	BGA 855N6 E6327 SP002337750
Peso unitario:	0,830 mg

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Hoja de datos

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Models

BGA855N6E6327XTSA1 Symbol & Footprint by SnapMagic

Product Catalogs

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TARIC:: 8542330000
CNHTS:: 8542339000
USHTS:: 8542330001
ECCN:: EAR99

Amplificador RF de bajo nivel de ruido BGA855N6

El amplificador RF de bajo nivel de ruido BGA855N6 de Infineon Technologies mejora la sensibilidad de la señal GNS para aplicaciones de banda L en el intervalo de frecuencias comprendido entre 1164 MHz y 1300 MHz. Este amplificador cubre las bandas GPS L2/L5, Galileo E5a, E5b, E6, Glonass G3, G2, Beidou B3, y B2. El amplificador BGA855N6 ofrece una ganancia de potencia de inserción de 17,8 dB, un consumo de corriente bajo, una gran rendimiento de linealidad, una salida de RF compatible de forma interna y una elevada precisión. El alto rendimiento de linealidad del BGA855N6 garantiza la mejor sensibilidad para su uso en configuraciones 4G y 5G NSA. Este amplificador se basa en la tecnología del silicio-germanio B9HF de Infineon Technologies y funciona con tensiones de suministro de entre 1,1 V y 3,3 V.

Low Noise Amplifier (LNA) ICs

Infineon Technologies Low Noise Amplifier (LNA) ICs boost data rates and reception quality of wireless applications by utilizing a very low-power signal without significant signal-to-noise ratio degradation. The improved receiver sensitivity enhances user experiences and satisfies market requirements. These highly integrated, small-packaged devices come with ESD protection and low power consumption, which is ideal for battery-operated mobile devices. Users of 4G/5G, GPS, Mobile TV, Wi-Fi, and FM portable devices will enjoy high data-rate reception, fast/precise navigation, and smooth, high-quality streaming even in the worst reception conditions.