BLF647P LDMOS Broadband Power Transistors

Ampleon BLF647P LDMOS Broadband Power Transistors are 200W LDMOS RF power transistors for broadcast transmitters and industrial applications. Suitable for the frequency range HF to 1500MHz, the excellent ruggedness and broadband performance of the BLF647P transistors make them ideal for digital applications. These transistors offer integrated ESD protection, excellent ruggedness, and high power gain/efficiency.

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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Polaridad de transistor Tecnología Id: corriente de drenaje continuo Vds (Tensión separación drenador-fuente) Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Frecuencia de operación Ganancia Energía de salida Temperatura operativa máxima Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Empaquetado
Ampleon Transistores RF MOSFET BLF647PS/SOT1121/TRAY 46En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Dual N-Channel LDMOS 100 mA 65 V 140 mOhms 1.5 GHz 17.5 dB 200 W + 225 C SMD/SMT SOT1121B-5 Tray
Ampleon Transistores RF MOSFET BLF647P/SOT1121/TRAY
236Fecha prevista: 19/06/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Dual N-Channel LDMOS 100 mA 65 V 140 mOhms 1.5 GHz 18 dB 200 W + 225 C SMD/SMT SOT-1121A-5 Tray
Ampleon Transistores RF MOSFET Broadband pwr LDMOS transistor No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 100
Múlt.: 100
Bobina: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 140 mOhms 1.5 GHz 17.5 dB 200 W + 225 C SMD/SMT SOT1121B-5 Reel