PXP0 P-Channel Trench MOSFETs

Nexperia PXP0 P-Channel Trench MOSFETs are enhancement mode Field-Effect Transistors (FETs) that utilize Trench MOSFET technology. The PXP0 P-Channel comes in an MLPAK33 (SOT8002) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. The MOSFETs are logic-level compatible and use Trench MOSFET technology. Typical applications include high-side load switch, battery management, DC to DC conversion, and switching circuits.

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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Empaquetado
Nexperia MOSFET PXP012-30QL/SOT8002/MLPAK33
6.947Fecha prevista: 19/02/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SOT8002-1-8 P-Channel 1 Channel 30 V 15.2 A 12.8 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 43.4 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET PXP015-30QL/SOT8002/MLPAK33
6.003Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT MLPAK33-8 P-Channel 1 Channel 30 V 12.8 A 22 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 24.6 nC - 55 C + 150 C 4.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel