RH7L04 60V N-Channel Power MOSFETs

ROHM Semiconductor RH7L04 60V N-Channel Power MOSFETs are AEC-Q101 qualified, 60V drain-source voltage (VDSS) and ±40A continuous drain current (ID) rated automotive-grade MOSFETs. These MOSFETs feature a low drain-source on-state resistance [RDS(ON)] and are available in a 3.3mm x 3.3mm DFN-8 (DFN3333T8LSAB) package. The ROHM Semiconductor RH7L04 MOSFETs are ideal forAdvanced Driver Assistance Systems (ADAS), information, lighting, and body applications.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Cualificación
Empaquetado
ROHM Semiconductor MOSFET DFN8 N CHAN 60V
Hoja de datos
2.157En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000
Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 40 A 10.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 13.6 nC - 55 C + 175 C 62 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN8 N CHAN 60V
Hoja de datos
2.996Fecha prevista: 13/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 40 A 6.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN8 N CHAN 60V
Hoja de datos
3.000Fecha prevista: 13/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 40 A 10.6 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 13.6 nC - 55 C + 175 C 62 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape