4th Generation EF Series MOSFETs

Vishay / Siliconix 4th Generation EF Series MOSFETs offer an extremely low figure-of-merit (FOM) rating for high-performance switching and high efficiency. The MOSFET FOM is calculated as ON-resistance (R(DS)ON) multiplied by gate charge (Qg). Built on Vishay 4th generation super-junction technology, these MOSFETs feature a low typical ON-resistance range of 0.088Ω to 0.225Ω at VGS=10V and a gate charge down to 21nC. For improved switching performance, these devices provide low effective output capacitances (Co(er) and Co(tr)). These values translate into reduced conduction and switching losses to save energy. Vishay / Siliconix 4th Generation EF Series MOSFETs are offered in PowerPAK® 8x8 and TO-220AB packages. The series is designed to withstand overvoltage transients in avalanche mode with guaranteed limits through 100% UIS testing.

Resultados: 22
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Vishay / Siliconix MOSFET TO247 600V 8.4A N-CH MOSFET 832En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8.4 A 168 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 32 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET 600V PowerPAK 8x8 N-CHANNEL 3.179En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-8 x 8 N-Channel 1 Channel 600 V 36 A 71 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 50 nC - 55 C + 150 C 202 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 600V 16A N-CH MOSFET 1.196En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 68 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 51 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFET TO252 600V 19A N-CH MOSFET 2.733En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 201 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 21 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 600V 41A N-CH MOSFET 1.368En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 41 A 68 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 51 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 600V 18A N-CH MOSFET 1.338En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 18 A 225 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 65 nC - 55 C + 150 C 223 W Enhancement TrenchFET
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 600V 29A N-CH MOSFET 1.680En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 88 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 35 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement TrenchFET
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 600V 8.4A N-CH MOSFET 1.520En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8.4 A 193 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 32 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET E Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode 845En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 35 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET TO247 600V 41A N-CH MOSFET 952En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 41 A 68 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 27 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFET TO263 600V 25A N-CH MOSFET 741En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 31 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFET PWRPK 600V 16A N-CH MOSFET 2.503En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK 8 x 8 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 168 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 21 nC - 55 C + 150 C 114 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET PWRPK 600V 23A N-CH MOSFET 2.671En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK 8 x 8 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 109 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 31 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET TO247 600V 25A N-CH MOSFET 493En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 31 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 600V 25A N-CH MOSFET 489En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 109 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 31 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement TrenchFET
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 600V 705En existencias
2.000Fecha prevista: 12/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT TO-263AB-4 N-Channel 1 Channel 600 V 46 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 63 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO263 600V 41A N-CH MOSFET 1.313En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 600 V 41 A 68 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 51 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFET TO263 600V 8.4A N-CH MOSFET 946En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 8.4 A 168 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 32 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO247 600V 61A N-CH MOSFET 601En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 61 A 40 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 84 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TOLL 600V 47A E SERIES 229En existencias
4.000Fecha prevista: 13/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 80 V 66 A 12.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 45 nC - 55 C + 175 C 135 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET PWRPK 600V 21A N-CH MOSFET 1.425En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 40 V 35.4 A 2.3 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 65.7 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 600V 11A N-CH MOSFET 1.000Disponible en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 31 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement