Controladores GaN/MOSFET de medio puente MPQ1918
Los controladores GaN/MOSFET de medio puente MPQ1918 de Monolithic Power Systems (MPS) están diseñados para controlar FET de nitruro de galio (GaN) con modo de mejora o MOSFET de canal N con una tensión umbral de compuerta baja. Estos controladores de medio puente cuentan con entradas independientes de modulación de amplitud de pulsos (PWM) de lado alto (HS) y lado bajo (LS). Los controladores de medio puente MPQ1918 proporcionan una técnica bootstrap para que la tensión del controlador HS funcione hasta a 100 VDC. Estos controladores incluyen un intervalo de tensión de 3,7 V a 5,5 V (VCC), una resistencia pull-down/pull-up de 0,27 Ω/1,2 Ω y salidas de compuerta separadas para capacidades ajustables de encendido y apagado. Los controladores de medio puente MPQ1918 están calificados con el grado1 AEC-Q100 y están disponibles en un paquete FCQFN-14. Las aplicaciones típicas incluyen convertidores de medio puente y puente completo, amplificadores de clase D de audio, convertidores de tipo buck síncronos y módulos de potencia.
