TRSx65H SiC Schottky Barrier Diodes

Toshiba TRSx65H Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBDs) are 650V devices based on third-generation technology utilizing Schottky metal. These components optimize the junction barrier Schottky (JBS) structure of the second-generation products, lowering the electric field at the Schottky interface and reducing leakage current, delivering enhanced efficiency. TRSx65H achieves a 17% lower forward voltage (1.2V typical) and improves trade-offs between the forward voltage and the total capacitive charge (17nC typical) than 2nd-Gen devices. With an enhanced forward voltage and reverse current ratio, a typical 1.1µA insulation resistance is achieved. Other features include forward DC current of up to 12A and square-wave non-repetitive surge currents of up to 640A.

Resultados: 12
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
If - Corriente delantera
Vrrm - Tensión inversa repetitiva
Vf - Tensión delantera
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera
Ir - Corriente inversa
Empaquetado
Toshiba Diodos Schottky de SiC G3 SiC-SBD 650V 3A TO-220-2L
Hoja de datos
1En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220-2L 3 A 650 V 1.2 V 170 A 2 uA Tube
Toshiba Diodos Schottky de SiC G3 SiC-SBD 650V 10A DFN8x8
Hoja de datos
1.933En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

SMD/SMT DFN-8 10 A 650 V 1.2 V 510 A 2 uA Reel, Cut Tape
Toshiba Diodos Schottky de SiC G3 SiC-SBD 650V 12A DFN8x8
Hoja de datos
3.858En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

SMD/SMT DFN-8 12 A 650 V 1.2 V 640 A 2.4 uA Reel, Cut Tape
Toshiba Diodos Schottky de SiC G3 SiC-SBD 650V 4A DFN8x8
Hoja de datos
6.976En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

SMD/SMT DFN-8 4 A 650 V 1.2 V 230 A 2 uA Reel, Cut Tape
Toshiba Diodos Schottky de SiC G3 SiC-SBD 650V 6A DFN8x8
Hoja de datos
4.849En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

SMD/SMT DFN-8 6 A 650 V 1.2 V 310 A 2 uA Reel, Cut Tape
Toshiba Diodos Schottky de SiC G3 SiC-SBD 650V 12A TO-220-2L
Hoja de datos
108En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220-2L 12 A 650 V 1.2 V 640 A 2.4 uA Tube
Toshiba Diodos Schottky de SiC G3 SiC-SBD 650V 4A TO-220-2L
Hoja de datos
224En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220-2L 4 A 650 V 1.2 V 230 A 2 uA Tube
Toshiba Diodos Schottky de SiC G3 SiC-SBD 650V 6A TO-220-2L
Hoja de datos
150En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220-2L 6 A 650 V 1.2 V 310 A 2 uA Tube
Toshiba Diodos Schottky de SiC G3 SiC-SBD 650V 8A DFN8x8
Hoja de datos
2.275En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

SMD/SMT DFN-8 8 A 650 V 1.2 V 410 A 2 uA Reel, Cut Tape
Toshiba Diodos Schottky de SiC G3 SiC-SBD 650V 8A TO-220-2L
Hoja de datos
31En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220-2L 8 A 650 V 1.2 V 410 A 2 uA Tube
Toshiba Diodos Schottky de SiC G3 SiC-SBD 650V 10A TO-220-2L
Hoja de datos
150Fecha prevista: 10/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220-2L 10 A 650 V 1.2 V 510 A 2 uA Tube
Toshiba Diodos Schottky de SiC G3 SiC-SBD 650V 2A TO-220-2L
Hoja de datos
172Fecha prevista: 05/11/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220-2L 2 A 650 V 1.2 V 120 A 2 uA Tube