Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

Volver a Resultados de la búsqueda

¿Ve algún error?

RS1G201ATTB1

Name: ROHM Semiconductor RS1G201ATTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RS1G201ATTB1
Price: 1.52 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

755-RS1G201ATTB1

Fabr. N.º:

RS1G201ATTB1

Fabr.:

ROHM Semiconductor

Descripción:

MOSFET HSOP8 P-CH 40V 20A

Hoja de datos:

RS1G201ATTB1 Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre ROHM Semiconductor RS1G201ATTB1

En existencias: 6.413

Existencias:: 6.413 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: 18 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	1,52 €	1,52 €
	1,45 €	14,50 €
	1,39 €	139,00 €
	1,22 €	610,00 €
	1,13 €	1.130,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
	1,03 €	2.575,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	HSOP-8
Polaridad de transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	40 V
Id: corriente de drenaje continuo:	78 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	5.2 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1 V
Qg (carga de compuertas):	130 nC
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	40 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	250 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	98 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	330 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	24 ns
Alias de parte #:	RS1G201AT
Peso unitario:	771,020 mg

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

RS1G201ATTB1 Hoja de datos

Application Notes

Application Note (PDF)

Specification Sheets

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

RS1G201ATTB1 Power MOSFET

ROHM Semiconductor RS1G201ATTB1 Power MOSFET features Pb-free plating, low on-resistance, and HSOP8 small surface-mount package. This MOSFET operates at -55°C to 150°C temperature range, -40V drain-source voltage, ±80A pulsed drain current, and ±20V gate-source voltage. The RS1G201ATTB1 power MOSFET is ideal for use in load switching.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.