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UG3SC120009K4S

Name: onsemi UG3SC120009K4S
Brand: onsemi
SKU: 431-UG3SC120009K4S
Price: 55.4 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

431-UG3SC120009K4S

Fabr. N.º:

UG3SC120009K4S

Fabr.:

onsemi

Descripción:

JFET 1200V/9MOSICFETDGG3TO247-4

Hoja de datos:

UG3SC120009K4S Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	55,40 €	55,40 €
	43,49 €	434,90 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	JFET
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Configuración:	Single
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Vgs (tensión de separación compuerta-fuente):	- 25 V to 25 V
Corriente de drenaje de la fuente en Vgs=0:	6 uA
Id: corriente de drenaje continuo:	120 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	7.6 mOhms
Pd (disipación de potencia):	789 W
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Serie:	UG3S
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Tipo de producto:	JFETs
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors

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UG3SC120009K4S Hoja de datos

PCN

Product Change Notification 2025-4-11 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

UG3SC 1200V 7.6mΩ Combo-FET

onsemi UG3SC 1200V 7.6mΩ Combo-FET combines a 1200V SiC JFET and a low-voltage Si MOSFET in a single TO-247-4L package. This design enables a normally off switch while utilizing the advantages of a normally on SiC JFET. The UG3SC Combo-FET from onsemi offers ultra-low on-resistance [R_DS(on)] for reduced conduction losses and the robustness needed for high-energy switching in circuit protection applications.

Combo-FETs

onsemi Combo-FETs are revolutionary devices that combine a low R_DS(on) onsemi SiC JFET with a Si MOSFET in a single, compact package. Explicitly designed for low-frequency protection applications, such as solid-state circuit breakers, battery disconnects, and surge protection, these Combo-FETs allow users access to the JFET gate to optimize the design. Integrating the Si MOSFET in these onsemi Combo-FETs ensures a normally off solution, achieving a size reduction of over 25% compared to discrete implementations.