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TGS2355

Name: Qorvo TGS2355
Brand: Qorvo
SKU: 772-TGS2355
Price: 159.58 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

772-TGS2355

Fabr. N.º:

TGS2355

Fabr.:

Qorvo

Descripción:

CIs para conmutadores de RF .5-6GHz SPDT 100 Watt GaN

Hoja de datos:

TGS2355 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	159,58 €	7.979,00 €
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Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:

TGS2355-SM

Embalaje:

Tray

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

231,83 €

Min:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Qorvo
Categoría de producto:	CIs para conmutadores de RF
RoHS:
Configuración del conmutador:	SPDT
Frecuencia mínima:	500 MHz
Frecuencia máxima:	6 GHz
Pérdida de inserción:	1.3 dB
Aislamiento apagado (típico):	40 dB
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	Die
Tecnología:	Si
Serie:	TGS2355
Empaquetado:	Gel Pack
Marca:	Qorvo
Voltaje de alto control:	- 48 V
Número de conmutadores:	Single
Corriente de suministro operativa:	1 mA
Pd (disipación de potencia):	36.8 W
Tipo de producto:	RF Switch ICs
Cantidad del paquete de fábrica:	50
Subcategoría:	Wireless & RF Integrated Circuits
Alias de parte #:	1097157
Peso unitario:	1 g

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Atributos seleccionados: 0

                        
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5-0810-13

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TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 854239099
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

TGS2355 High Power GaN Switch

Qorvo TGS2355 High Power GaN Switch is a single-pole, double-throw (SPDT) reflective switch fabricated on Qorvo's 00.25µm GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) production process (QGaN25). Operating from 0.5GHz to 6.0GHz, the TGS2355 provides up to 100W input power handling with <1dB insertion over most of the operating band and greater than 40dB isolation.

GaN Solutions

Qorvo is your smart RF partner for building solutions using Gallium Nitride (GaN) technology. No longer a technology just for defense and aerospace applications, GaN is enabling higher and higher frequencies in more complex applications, such as phased arrays, radar, base transceiver stations for 5G, cable TV (CATV), VSAT, and defense communications. Qorvo provides proven, record-setting GaN circuit reliability and compact, high-efficiency products. This paves the way for more robust performance, lower operating costs and longer operational lifetimes.

GaN Switches

Qorvo Gallium Nitride (GaN) Switches are suited for RF Switching applications and feature high breakdown voltages combined with the low on-resistance and off-state capacitance. This enables a dramatic increases in power handling. GaAs FET switches are widely used in the RF industry, and typically used for power levels on the order of a few watts or less. GaN FETs are able to use the same circuit architectures to handle power levels on the order of tens of watts.