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CMPA2735030S

Name: MACOM CMPA2735030S
Brand: MACOM
SKU: 941-CMPA2735030S
Price: 275.8 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

941-CMPA2735030S

Fabr. N.º:

CMPA2735030S

Fabr.:

MACOM

Descripción:

Amplificador de RF MMIC, GaN HEMT, G50V3-1C, 30W, 2.7-3.5GH

Hoja de datos:

CMPA2735030S Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	275,80 €	275,80 €
	244,62 €	2.446,20 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 25)
	233,85 €	5.846,25 €
250	Cotización

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoría de producto:	Amplificador de RF
RoHS:
Frecuencia de operación:	2.7 GHz to 3.5 GHz
Ganancia:	28.1 dB
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	QFN-32
Tecnología:	GaN
Temperatura operativa máxima:	+ 225 C
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	MACOM
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Sensibles a la humedad:	Yes
Pd (disipación de potencia):	32 W
Tipo de producto:	RF Amplifier
Cantidad del paquete de fábrica:	25
Subcategoría:	Wireless & RF Integrated Circuits

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Hoja de datos

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TARIC:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
ECCN:: EAR99

Amplificador de potencia MMIC de GaN de 30 W CMPA2735030S

El amplificador de potencia MMIC de GaN de 2,7 GHz a 3,5 GHz y 30 W CMPA2735030S de Wolfspeed / Cree es un circuito integrado de microondas monolítico (MMIC) basado en un transistor de alta movilidad de electrones (HEMT) . El amplificador de nitruro de galio (GaN) CMPA2735030S ofrece grandes ventajas en comparación con el silicio o el arseniuro de galio, incluida una tensión de ruptura superior, mayor velocidad de desviación saturada de electrones y mayor conductividad térmica. Además, los HEMT de GaN ofrecen una mayor densidad de potencia y anchos de banda más amplios en comparación con transistores de Si y GaAs.