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CLP24H4S30PXY

Name: Ampleon CLP24H4S30PXY
Brand: Ampleon
SKU: 94-CLP24H4S30PXY
Price: 56.11 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

94-CLP24H4S30PXY

Fabr. N.º:

CLP24H4S30PXY

Fabr.:

Ampleon

Descripción:

FET de GaN CLP24H4S30P/DFN-6.5X7/REEL

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

CLP24H4S30PXY Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	56,11 €	56,11 €
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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Ampleon
Categoría de producto:	FET de GaN
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DFN-6
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	150 V
Id: corriente de drenaje continuo:	774 uA
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 15 V, 2 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	- 2.2 V
Temperatura operativa máxima:	+ 225 C
Marca:	Ampleon
Ganancia:	18.4 dB
Sensibles a la humedad:	Yes
Energía de salida:	30 W
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad del paquete de fábrica:	100
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN SiC
Tipo:	RF Power MOSFET

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Atributos seleccionados: 0

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CLP24H4S30PXY Hoja de datos (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CLP24H4S30P GaN-SiC HEMT Power Transistor

Ampleon CLP24H4S30P GaN-SiC HEMT Power Transistor is a high-efficiency 30W device designed for continuous wave (CW) applications within the 2400MHz to 2500MHz frequency range. Engineered for use in industrial, scientific, medical, and consumer cooking systems, the Ampleon CLP24H4S30P offers excellent power performance and thermal stability. The device features an internally input-matched design and supports broadband operation, minimizing the need for complex external matching circuits. Housed in a compact 7mm x 7mm DFN surface-mount package, the CLP24H4S30P is ideal for compact, high-power RF amplifier designs.