MXP120A MaxSiC™ 1200V N-Channel MOSFETs

Vishay Semiconductors MXP120A MaxSiC™ 1200V N-Channel MOSFETs feature 1200V drain-source voltage, fast switching speed, and 3μs short circuit withstand time. These MOSFETs also feature 139W to 227W maximum power dissipation (Tc=25°C) and 29A to 49A continuous drain current (Tc=25°C). The MXP120A MaxSiC™ 1200V N-Channel MOSFETs are halogen-free and are available in TO-247 3L or TO-247 4L packages. These MOSFETs are used in chargers, auxiliary motor drives, and DC-DC converters.

Resultados: 5
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Vishay Semiconductors MOSFET de SiC 1200-V N-CHANNEL (SIC) MOSFET
Hoja de datos
2.313En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 29 A 100 mOhms - 10 V, + 22 V 2.69 V 47.3 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement MaxSIC
Vishay Semiconductors MOSFET de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 57 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 49 A 56 mOhms - 10 V, + 22 V 2.38 V 75.6 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement MaxSIC
Vishay Semiconductors MOSFET de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 57 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 49 A 56 mOhms - 10 V, + 22 V 2.38 V 75.6 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement MaxSIC
Vishay Semiconductors MOSFET de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 57 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 10.5 A 313 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 20.3 nC - 55 C + 150 C 56 W Enhancement MaxSIC
Vishay Semiconductors MOSFET de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 10.5 A 313 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 20.3 nC - 55 C + 150 C 56 W Enhancement MaxSIC