MXP120A MaxSiC™ 1200V N-Channel MOSFETs

Vishay Semiconductors MXP120A MaxSiC™ 1200V N-Channel MOSFETs feature 1200V drain-source voltage, fast switching speed, and 3μs short circuit withstand time. These MOSFETs also feature maximum power dissipation of 56W to 268W (Tc=25°C) and continuous drain current of 10.5A to 52A (Tc=25°C). The MXP120A MaxSiC™ 1200V N-Channel MOSFETs are halogen-free and are available in TO-247 3L, TO-247 4L, and TO-263 7L packages. These MOSFETs are used in chargers, auxiliary motor drives, and DC-DC converters.

Resultados: 11
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Vishay Semiconductors MOSFET de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
800Fecha prevista: 12/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 52 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 82 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFET de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
600Fecha prevista: 19/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 83 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFET de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
600Fecha prevista: 19/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247AD-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 84 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFET de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
799Fecha prevista: 14/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 41 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 58 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFET de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
599Fecha prevista: 14/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFET de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
799Fecha prevista: 14/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 100 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 47 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFET de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
599Fecha prevista: 14/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 100 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 45 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFET de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
800Fecha prevista: 16/09/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 52 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 82 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFET de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
600Fecha prevista: 16/09/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 83 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFET de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
600Fecha prevista: 14/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFET de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
600Fecha prevista: 14/10/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement