MOSFET de potencia de carburo de silicio de 650 V

Los MOSFET de alimentación de carburo de silicio de 650 V de Wolfspeed ofrecen niveles bajos de resistencias de estado de activación y pérdidas de conmutación para obtener una eficiencia y densidad de potencia máximas. Los MOSFET de 650 V están optimizados para aplicaciones electrónicas de alimentación de alto rendimiento, entre las que se incluyen fuentes de alimentación para servidores, sistemas de carga de vehículos eléctricos, sistemas de almacenamiento de energía, inversores solares (PV), sistemas de alimentación ininterrumpida y sistemas de gestión de baterías. En comparación con el silicio, los MOSFET de carburo de silicio de 650 V de Wolfspeed permiten un 75 % menos de pérdidas de conmutación, ½ de las pérdidas de conducción y una densidad de potencia tres veces mayor.

Resultados: 20
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal
Wolfspeed MOSFET de SiC 650V MOSFET 45mOHMS SiC MOSFET 2.498En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 49 A 45 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 63 nC - 40 C + 175 C 176 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-263-7, Industrial 1.014En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 24 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 15mohm, 650V, TO-247-3, Industrial 644En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 81 A 15 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 188 nC - 40 C + 175 C 416 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC 650V MOSFET 45mOHMS SiC MOSFET 1.023En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 49 A 45 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 63 nC - 40 C + 175 C 176 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TO-263-7, Industrial 1.168En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 136 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC 650V MOSFET 25mOHMS SiC MOSFET 1.285En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 97 A 25 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 108 nC - 40 C + 175 C 326 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial 611En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 61 nC - 40 C + 150 C 147 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7XL T&R, Industrial 694En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 1.2 kV 64 A 53.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 94 nC - 40 C + 150 C 272 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 45mohm, 750V, TO-247-4LP, Automotive, Gen4 267En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4LP N-Channel 1 Channel 750 V 42 A 45 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 65 nC - 55 C + 175 C 139 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 60mohm, 750V, TO-247-4LP, Automotive, Gen4 345En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4LP N-Channel 1 Channel 750 V 35 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 52 nC - 55 C + 175 C 126 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 25mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial 850En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 77 A 25 mOhms - 8 V, + 19 V 2.3 V 111 nC - 40 C + 175 C 326 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 45mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial 1.906En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 650 V 49 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 59 nC - 40 C + 175 C 164 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TOLL,T&R, Industrial 1.193En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 79 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 131 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET 25 mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial 1.679En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 80 A 34 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 109 nC - 40 C + 150 C 271 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 60 mohm, 650V, TO-247-4, Industrial 419En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 37 A 60 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 150 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 15mohm, 650V, TO-247-4, Industrial 256En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 120 A 15 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 188 nC - 40 C + 175 C 416 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC 650V MOSFET 25mOHMS SiC MOSFET 602En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 97 A 25 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 112 nC - 40 C + 175 C 326 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, T&R, Industrial 1En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 61 nC - 40 C + 150 C 147 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TO-247-3, Industrial
450Fecha prevista: 25/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 60 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 150 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TO-263-7 T&R, Industrial No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 136 W Enhancement