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SIHP080N60E-GE3

Name: Vishay SIHP080N60E-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIHP080N60E-GE3
Price: 4.55 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

78-SIHP080N60E-GE3

Fabr. N.º:

SIHP080N60E-GE3

Fabr.:

Vishay / Siliconix

Descripción:

MOSFET TO220 600V 35A N-CH MOSFET

Hoja de datos:

SIHP080N60E-GE3 Hoja de datos

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-220-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	600 V
Id: corriente de drenaje continuo:	35 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	80 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, 30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	5 V
Qg (carga de compuertas):	42 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	227 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Vishay / Siliconix
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	31 ns
Transconductancia delantera: mín.:	4.6 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	96 ns
Serie:	SIHP E
Cantidad del paquete de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	37 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	31 ns
Peso unitario:	2 g

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiHP080N60E E Series Power MOSFETs

Vishay / Siliconix SiHP080N60E E Series Power MOSFETs offer 4th generation E series technology in a TO-220AB package. The SiHP080N60E features a low figure-of-merit (FOM) R_on x Q_g and a low effective capacitance (C_o(er)). The Vishay / Siliconix SiHP080N60E E Series Power MOSFETs are designed for Server and telecom, SMPS, and PFC power supply applications.