NTTFS012N10MDTAG

onsemi
863-NTTFS012N10MDTAG
NTTFS012N10MDTAG

Fabr.:

Descripción:
MOSFET PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET U8FL

Modelo ECAD:
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Plazo de producción de fábrica:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
1,86 € 1,86 €
1,23 € 12,30 €
0,832 € 83,20 €
0,663 € 331,50 €
0,63 € 630,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1500)
0,571 € 856,50 €
0,542 € 1.626,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
WDFN-8
PowerTrench
Reel
Cut Tape
Marca: onsemi
Tipo de producto: MOSFETs
Serie: NTTFS012N10MD
Cantidad del paquete de fábrica: 1500
Subcategoría: Transistors
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Tecnología PowerTrench

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.

NTTFS012N10MD N-Channel MOSFET

onsemi NTTFS012N10MD N-Channel MOSFET is designed using an advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize the on-state resistance RDS(on) to minimize conduction losses and yet maintain superior switching performance. The NTTFS012N10MD MOSFET features low QG and capacitance to minimize driver losses, low QRR, soft recovery body diode, and low QOSS to improve light-load efficiency. Typical applications include primary switches in isolated DC-DC converters, AC-DC adapters, synchronous rectification in DC-DC and AC-DC, BLDC motors, load switches, and solar inverters.