JFET y FET LDMOS FET de RF 5G

Los transistores con efecto de campo de unión RF (JFET) 5 G de MACOM y los semiconductores de óxido de metal de difusión lateral (LDMOS) FET son transistores de alta potencia mejorados térmicamente para la siguiente generación de transmisión inalámbrica. Estos dispositivos cuentan con tecnología GaN on SiC de transistor de alta movilidad de electrones (HEMT), adaptación de entrada, una alta eficiencia y un paquete de montaje en superficie mejorado térmicamente con una brida sin lengüetas. Los JFET y FET LDMOS de RF 5G de MACOM son ideales para su uso en aplicaciones de amplificadores de potencia celular multiprotocolo.